[發(fā)明專利]分壓測量方法及分壓測量裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810093059.4 | 申請日: | 2008-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN101289736A | 公開(公告)日: | 2008-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山本昌裕;小巖崎剛;山西齊;村岸勇夫;吉永光宏 | 申請(專利權(quán))人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測量方法 測量 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及分壓測量方法及分壓測量裝置,尤其涉及測量真空腔室內(nèi)的分壓的分壓測量方法及分壓測量裝置。
背景技術(shù)
將微量的氣體導(dǎo)入到真空腔室內(nèi)并在基材表面上產(chǎn)生反應(yīng)的表面改性、通過產(chǎn)生等離子而加工表面的干式蝕刻、形成膜的陰極真空噴鍍、和CVD(化學(xué)氣相沉淀:Chemical?Vapor?Deposition)在電子部件及光學(xué)薄膜等的許多產(chǎn)品的量產(chǎn)中被廣泛地使用。
為了實現(xiàn)基板表面的均質(zhì)的處理,微量氣體的濃度優(yōu)選為在真空腔室內(nèi)是均勻的。因此,掌握真空腔室內(nèi)部的微量氣體的濃度分布、并且控制微量氣體的濃度是非常重要的。
例如,有在真空中產(chǎn)生等離子而在基板上進(jìn)行成膜的陰極真空噴鍍。作為通過陰極真空噴鍍高速地成膜氧化物或氮化物等的方法,有反應(yīng)性陰極真空噴鍍法。所謂的反應(yīng)性陰極真空噴鍍法,是對設(shè)置在真空腔室內(nèi)的金屬目標(biāo)施加DC電壓而產(chǎn)生等離子,通過使在產(chǎn)生的等離子的作用下從金屬目標(biāo)飛出的原子與導(dǎo)入到真空腔室內(nèi)的反應(yīng)性氣體反應(yīng)而成為化合物,從而使氧化物或氮化物堆積在基板上的方法。
為了使在真空腔室內(nèi)形成的化合物薄膜的組成在基板面內(nèi)為均質(zhì),控制導(dǎo)入的氣體的分布而實現(xiàn)均質(zhì)的反應(yīng)是重要的。因此,監(jiān)視并控制實際形成化合物薄膜的裝置內(nèi)的氣體分壓分布是重要的。這里,所謂的分壓,是在混合氣體的壓力(全壓)之中、將某個氣體(gas)所占的壓力稱作該氣體的分壓。此外,所謂的分壓分布,是指真空腔室內(nèi)的空間上的分壓的分布。
所以,作為以往的分壓分布測量方法,有使用例如質(zhì)量分析器的分壓測量方法。
在質(zhì)量分析器的分壓分布測量方法中,需要將氣體導(dǎo)引到質(zhì)量分析器的分析管。因此,在測量真空腔室內(nèi)的局部的分壓的情況下,需要將配管設(shè)置到真空腔室內(nèi)部的測量部位。進(jìn)而,需要使設(shè)置的該配管的直徑較細(xì)。但是,如果配管的直徑變細(xì),則配管的導(dǎo)電性變低,所以不能測量正確的分壓。此外,附著在配管表面上的吸附氣體會給測量帶來影響。
所以,作為不需要在真空腔室內(nèi)設(shè)置配管的分壓測量方法,提出了使用分光測量裝置的方法(例如,專利文獻(xiàn)1:日本特公平02-25249號公報)。
在專利文獻(xiàn)1中,公開了通過LIF(激光誘導(dǎo)熒光:Laser?InducedFluorescence)的分光分析方法。只要能夠進(jìn)行LIF的分光測量,就能夠測量被激光照射的部分的各部位的分壓。
圖1是以往的分光測量裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。圖1所示的分光測量裝置具備真空腔室1、透明窗2、分光器3、光纖4、激光振蕩用電源5、激光單元6及激光控制用光學(xué)單元7。
在圖1所示的分光測量裝置中,在真空腔室1的外壁上設(shè)有透明窗2,從外部將由激光單元6供給的激光8照射在氣體上。如果對氣體照射激光8,則當(dāng)氣體分子激勵而再次回落到基底狀態(tài)時產(chǎn)生發(fā)光。通過沿著激光8的路徑測量產(chǎn)生的發(fā)光的發(fā)光強(qiáng)度,能夠知道各部分的分壓分布。
但是,分光測量裝置由于一般非常昂貴并且發(fā)光強(qiáng)度較弱,所以在測量中需要較長時間。如果想要在短時間內(nèi)進(jìn)行測量,則干擾變多,所以測量精度降低。
此外,每當(dāng)測量真空腔室1內(nèi)的各部位時,需要移動、調(diào)節(jié)激光單元6或分光器3的光學(xué)系統(tǒng)的操作,所以導(dǎo)入到量產(chǎn)工序中是非常困難的。
所以,提出了能夠減輕光學(xué)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)的操作、并且比分光測量裝置便宜的分壓測量方法(例如,專利文獻(xiàn)1:日本特公平02-25249號公報,專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-236666號公報,專利文獻(xiàn)3:日本特開平05-62944號公報,專利文獻(xiàn)4:日本特開昭58-46640號公報,專利文獻(xiàn)5:日本特公2005-276618號公報)。
在上述專利文獻(xiàn)2中,公開了通過檢測等離子光的發(fā)光波譜來測量真空腔室內(nèi)的H2O分壓的分壓測量方法。
在上述專利文獻(xiàn)3中,公開了使在真空腔室內(nèi)產(chǎn)生的等離子發(fā)光集束到分光器中、將等離子發(fā)光波譜分光的方法。
在上述專利文獻(xiàn)4中,公開了分光測量從設(shè)在真空腔室中的窗放射的等離子發(fā)光的方法。
但是,在上述專利文獻(xiàn)2~4中,利用由設(shè)在真空腔室內(nèi)的處理用的等離子源(以下記作處理等離子源)產(chǎn)生的等離子的發(fā)光的一部分進(jìn)行測量。因此,由處理等離子源產(chǎn)生的等離子的發(fā)光相對較強(qiáng),并不一定能夠高精度地測量有關(guān)想要測量的氣體的等離子的發(fā)光。即,在上述專利文獻(xiàn)2~4的分壓測量方法中,由于利用設(shè)在真空腔室內(nèi)的處理用的處理等離子源的等離子發(fā)光,所以不僅是對有關(guān)想要測量的氣體的等離子發(fā)光,包括對有關(guān)不測量的氣體的等離子發(fā)光也受光,有難以進(jìn)行希望的氣體的正確的分壓測量的問題。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





