[發(fā)明專利]二晶體管式靜態(tài)隨機存取存儲器及其記憶胞

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810092995.3
• 申請日: 2008-04-22
• 公開（公告）號: CN101261878A
• 公開（公告）日: 2008-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石維強;柏正豪;劉國楨
• 申請（專利權(quán)）人: 智原科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/41
• 分類號: G11C11/41;G11C11/412;G11C11/417;G11C11/418
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨;吳世華

1.一種靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，包括：

一第一N型開關(guān)元件，該第一N型開關(guān)元件具有一控制端連接至一字線，且該第一N型開關(guān)元件的一第一端連接至一位線；

一第二N型開關(guān)元件，該第二N型開關(guān)元件具有一控制端連接至該字線，且該第二N型開關(guān)元件的一第一端連接至一反相的位線；

一第一存儲節(jié)點，該第一存儲節(jié)點的一第一端連接至該第一N型開關(guān)元件的一第二端；以及

一第二存儲節(jié)點，該第二存儲節(jié)點的一第一端連接至該第二N型開關(guān)元件的一第二端。

2.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第一N型開關(guān)元件為一第一NMOS晶體管，且該第一NMOS晶體管的柵極連接至該字線，該第一NMOS的漏極與源極連接至該位線與該第一存儲節(jié)點的該第一端。

3.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第二N型開關(guān)元件為一第二NMOS晶體管，且該第二NMOS晶體管的柵極連接至該字線，該第二NMOS的漏極與源極連接至該反相位線與該第二存儲節(jié)點的該第一端。

4.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第一存儲節(jié)點具有浮接的一第二端，且該第二存儲節(jié)點具有浮接的一第二端。

5.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第一存儲節(jié)點為一第三NMOS晶體管所構(gòu)成的一NMOS電容，且該第二存儲節(jié)點為一第四NMOS晶體管所構(gòu)成的該NMOS電容。

6.如權(quán)利要求5所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第三NMOS晶體管與該第四NMOS晶體管的柵極連接至一外部偏壓。

7.如權(quán)利要求5所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第三NMOS晶體管漏極連接至該第一N型開關(guān)元件的該第二端，且該第三NMOS晶體管源極為浮接。

8.如權(quán)利要求5所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第四NMOS晶體管漏極連接至該第二N型開關(guān)元件的該第二端，且該第四NMOS晶體管源極為浮接。

9.如權(quán)利要求1所述的靜態(tài)隨機存取存儲器的記憶胞，其中該第一存儲節(jié)點與該第二存儲節(jié)點中存儲互補的數(shù)據(jù)。

10.一種靜態(tài)隨機存取存儲器，包括：

一主控電路；一列解碼器，連接至該主控電路；一行解碼器，連接至該主控電路；一記憶胞陣列，連接至該列解碼器與該行解碼器；一感測放大器輸入/輸出控制電路，連接至該記憶胞陣列；以及，一隱藏式更新單元，連接至該主控電路；

其中，該主控電路可接收多個地址信號、一時鐘脈沖信號、與一讀寫信號，并根據(jù)該些地址信號將第一部分地址信號傳遞至列解碼器用以控制該記憶胞陣列的位線，而第二部分地址信號傳遞至行解碼器用以控制該記憶胞陣列的字線；該隱藏式更新單元可于該靜態(tài)隨機存取存儲器正常操作且沒有更新時，在該時鐘脈沖信號的一第一電平時進行一讀/寫運算；以及，該隱藏式更新單元可于該靜態(tài)隨機存取存儲器正常操作且有更新時，利用該時鐘脈沖信號的該第一電平進行該讀/寫運算，而利用該時鐘脈沖信號的一第二電平對該記憶胞陣列進行一數(shù)據(jù)更新運算。

11.如權(quán)利要求10所述的靜態(tài)隨機存取存儲器，其中該記憶胞陣列由多個記憶胞所組成，而每一記憶胞包括：

一第一N型開關(guān)元件，該第一N型開關(guān)元件具有一控制端連接至一第一字線，且該第一N型開關(guān)元件的一第一端連接至一第一位線；

一第二N型開關(guān)元件，該第二N型開關(guān)元件具有一控制端連接至該第一字線，且該第二N型開關(guān)元件的一第一端連接至一第一反相的位線；

一第一存儲節(jié)點，該第一存儲節(jié)點的一第一端連接至該第一N型開關(guān)元件的一第二端；以及

一第二存儲節(jié)點，該第二存儲節(jié)點的一第一端連接至該第二N型開關(guān)元件的一第二端。

12.如權(quán)利要求11所述的靜態(tài)隨機存取存儲器，其中該第一N型開關(guān)元件為一第一NMOS晶體管且該第一NMOS晶體管的柵極連接至該第一字線，該第一NMOS的漏極與源極連接至該第一位線與該第一存儲節(jié)點的該第一端。

13.如權(quán)利要求11所述的靜態(tài)隨機存取存儲器，其中該第二N型開關(guān)元件為一第二NMOS晶體管且該第二NMOS晶體管的柵極連接至該第一字線，該第二NMOS的漏極與源極連接至該第一反相位線與該第二存儲節(jié)點的該第一端。