[發明專利]聚酰亞胺薄膜的制造方法及聚酰亞胺薄膜無效
| 申請號： | 200810092971.8 | 申請日： | 2008-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN101289544A | 公開（公告）日： | 2008-10-22 |
| 發明（設計）人： | 山口裕章 | 申請（專利權）人： | 宇部興產株式會社 |
| 主分類號： | C08J5/18 | 分類號： | C08J5/18;C08J7/12;C08L79/08;B32B15/08;C09J179/08;C09J5/02;C09J7/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚酰亞胺 薄膜 制造 方法 | ||
1.一種聚酰亞胺薄膜的制造方法，其中，包括：
在聚酰亞胺前體溶液的自支撐性薄膜的單面或兩面涂敷含有下述特征(1)及/或特征(2)的在至少一個末端具有烷氧基甲硅烷基的聚酰胺酸低聚物的溶液，將其加熱并亞胺化的工序；
·特征(1)
聚酰胺酸低聚物是以XA∶XB∶XC＝2∶n∶(n-1)且XD∶XE1＝2∶0～1∶1的摩爾比使四羧酸二酐、二胺、末端具有伯氨基的烷氧基硅烷化合物、和作為任意成分的一元胺系末端封閉劑發生反應而得到的物質，在這里，XA是烷氧基硅烷化合物及末端封閉劑的總計摩爾數(XD+XE1)，XB是四羧酸二酐的摩爾數，XC是二胺的摩爾數，XD是烷氧基硅烷化合物的摩爾數，XE1是一元胺系末端封閉劑的摩爾數，n是1～5的正數；
·特征(2)
聚酰胺酸低聚物是以XA∶XB∶XC＝2∶(n-1)∶n且XD∶XE2＝2∶0～1∶1的摩爾比使四羧酸二酐、二胺、末端具有羧酸酐基的烷氧基硅烷化合物、和作為任意成分的羧酸酐系末端封閉劑發生反應而得到的物質，在這里，XA是烷氧基硅烷化合物及末端封閉劑的總計摩爾數(XD+XE2)，XB是四羧酸二酐的摩爾數，XC是二胺的摩爾數，XD是烷氧基硅烷化合物的摩爾數，XE2是羧酸酐系末端封閉劑的摩爾數，n是1～5的正數。
2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制造方法，其中，
所述聚酰亞胺前體溶液的自支撐性薄膜是由含有選自3，3’，4，4’-聯二苯基四羧酸二酐及苯均四酸二酐的酸成分、和選自對苯二胺及4，4’-二氨基二苯基醚的二胺成分的成分得到的聚酰亞胺前體溶液的自支撐性薄膜。
3.根據權利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制造方法，其中，
所述聚酰胺酸低聚物中，聚酰胺酸低聚物末端的與Si原子結合的烷氧基的一部分被水解。
4.根據權利要求3所述的聚酰亞胺薄膜的制造方法，其中，
所述聚酰胺酸低聚物是在相對于聚酰胺酸低聚物末端的與Si原子結合的烷氧基總量為25摩爾％以下的范圍內添加水，使與Si原子結合的烷氧基的一部分水解的聚酰胺酸低聚物。
5.一種聚酰亞胺薄膜，其中，
其是利用權利要求1所述的制造方法制造的。
6.一種銅層疊聚酰亞胺薄膜，其中，
在權利要求5所述的聚酰亞胺薄膜的、制造時涂敷了含有在至少一個末端具有烷氧基甲硅烷基的聚酰胺酸低聚物的溶液的面上，層疊有銅層而成。
7.根據權利要求6所述的銅層疊聚酰亞胺薄膜，其中，
在聚酰亞胺薄膜上隔著粘接劑層層疊有銅箔而成。
8.根據權利要求6所述的銅層疊聚酰亞胺薄膜，其中，
利用濺射或蒸鍍在聚酰亞胺薄膜上形成銅層而成。
9.根據權利要求6所述的銅層疊聚酰亞胺薄膜，其中，
90度耐層離強度是0.7N/mm以上。
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