[發明專利]柵極結構的制造方法

有效

• 申請號: 200810092786.9
• 申請日: 2008-04-15
• 公開（公告）號: CN101562131A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 李秋德
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/82
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳 亮

1.一種柵極結構的制造方法，包括：

提供一襯底，該襯底上已形成一柵極介電層，且該柵極介電層上形成有至 少一介電柱；

在該襯底上方順應性形成一多晶硅層，覆蓋住該介電柱與該柵極介電層；

進行一刻蝕工藝，移除部分的該多晶硅層，以于該介電柱的側壁形成二個 多晶硅間隙壁；

在該襯底上形成一刻蝕終止層；

形成一介電層，以覆蓋該刻蝕終止層、該二個多晶硅間隙壁與該介電柱；

進行一平坦化工藝，移除部分的該介電柱、該介電層與該二個多晶硅間隙 壁，使該二個多晶硅間隙壁形成二個多晶硅柱；

進行一回刻蝕工藝，移除部分的該介電柱與該介電層，使該介電柱與該介 電層的表面低于該多晶硅柱的表面；以及

進行一自行對準金屬硅化物工藝，使該多晶硅柱轉變成一金屬硅化物柱，

其中該多晶硅層的厚度等于該金屬硅化物柱的關鍵尺寸。

2.如權利要求1所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成該金屬硅化物柱后，在該金屬硅化物柱上形成一金屬層；以及

在形成該金屬層后，移除部分的該介電柱與該介電層，以于該金屬硅化物 柱兩側形成一間隙壁。

3.如權利要求2所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該金屬層的材 料包括氮化鈦、鉭或鎢。

4.如權利要求1所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該柵極介電層 為高介電常數的介電材料層。

5.如權利要求1所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該刻蝕終止層 的材料包括氮氧化硅。

6.如權利要求1所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該平坦化工藝 為化學機械研磨工藝。

7.如權利要求1所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該刻蝕工藝為 非等向性刻蝕工藝。

8.一種柵極結構的制造方法，包括：

提供一襯底，該襯底具有一第一柵極區與一第二柵極區，該襯底上已形成 一柵極介電層，且該第二柵極區的該柵極介電層上形成有至少一介電柱；

在該襯底上方順應性形成一多晶硅層，覆蓋住該介電柱與該柵極介電層；

進行一第一刻蝕工藝，移除該第二柵極區的部分該多晶硅層，以于該介電 柱的側壁形成二個多晶硅間隙壁；

在該襯底上形成一刻蝕終止層；

進行一第二刻蝕工藝，移除該第一柵極區的該多晶硅層，以形成至少一第 一多晶硅柱；

形成一介電層，以覆蓋該刻蝕終止層、該二個多晶硅間隙壁、該介電柱與 該第一多晶硅柱；

進行一平坦化工藝，移除部分的該介電柱、該介電層與該二個多晶硅間隙 壁，使該二個多晶硅間隙壁形成二個第二多晶硅柱；

進行一回刻蝕工藝，移除部分的該介電柱與該介電層，使該介電柱與該介 電層的表面低于該第一多晶硅柱與該第二多晶硅柱的表面；以及

進行一自行對準金屬硅化物工藝，使該第一多晶硅柱與該第二多晶硅柱分 別轉變成一第一金屬硅化物柱與一第二金屬硅化物柱，

其中該多晶硅層的厚度等于該第二金屬硅化物柱的關鍵尺寸。

9.如權利要求8所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成該第一金屬硅化物柱與該第二金屬硅化物柱后，在該第一金屬硅化 物柱與該第二金屬硅化物柱上形成一金屬層；以及

在形成該金屬層后，移除部分的該介電柱與該介電層，以于該第一金屬硅 化物柱兩側與該第二金屬硅化物柱兩側形成一間隙壁。

10.如權利要求9所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該金屬層的材 料包括氮化鈦、鉭或鎢。

11.如權利要求8所述的柵極結構的制造方法，其特征在于，該柵極介電層 為高介電常數的介電材料層。