[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200810092627.9
• 申請日: 2008-04-16
• 公開（公告）號: CN101290934A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 堀越勝;內山久嘉;野間崇;關嘉則;山田紘士;石部真三;篠木裕之
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/485;H01L23/552
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

在所述半導體基板的表面形成的半導體集成電路；

與所述半導體集成電路連接的焊盤電極；

與所述半導體基板的背面接觸而形成的電容電極；

在所述半導體基板的側面上及所述電容電極上形成的絕緣膜；

與所述電容電極重疊形成于所述絕緣膜上、且與所述焊盤電極連接的配線層，

由所述電容電極、所述絕緣膜、所述配線層形成電容。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述電容電極自所述半導體基板的背面上延伸到所述半導體基板的側面上，

所述絕緣膜形成在所述半導體基板的側面上的所述電容電極上，

所述配線層形成在所述半導體基板的側面上的所述絕緣膜上。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體基板在對應于所述焊盤電極的位置具有貫通所述半導體基板的通孔，

所述半導體基板的側面包含所述通孔的內壁面。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在所述半導體基板的背面上，具備：經由所述配線層與所述焊盤電極電連接的第一導電端子和與所述電容電極接觸的第二導電端子。

5.如權利要求1～4中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，在所述半導體基板上粘合有支承體。