[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 200810092385.3
• 申請日: 2008-04-24
• 公開（公告）號: CN101295538A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 平山雅行;長谷川政己;金光道太郎;林彌生;阿南尚幸
• 申請（專利權）人: 日立超大規模集成電路系統株式會社
• 主分類號: G11C11/417
• 分類號: G11C11/417
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，其中：

包括存儲單元陣列，該存儲單元陣列具有設置在多條字線和多條互補位線的交叉部的多個靜態型存儲單元，

上述靜態型存儲單元包括輸入和輸出交叉連接的第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路，以及設置在上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路的輸入端子與對應的上述互補位線之間、柵極與對應的上述字線相連接的選擇開關MOSFET，

上述存儲單元陣列包括：

第一源極線和第二源極線，分別連接著構成上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路的N溝道MOSFET和P溝道MOSFET的源極，其中上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路構成上述多個靜態型存儲單元；

開關MOSFET，設置在上述第一源極線和與其相對應的第一電源線之間，在第一工作模式時被置于截止狀態，在與上述第一工作模式不同的第二工作模式時被置于導通狀態；

N溝道MOSFET，設置在上述第一源極線和上述第一電源線之間，源極與形成有該N溝道MOSFET的P阱連接，漏極和柵極連接而形成二極管形態；以及

P溝道MOSFET，設置在上述第一源極線和上述第一電源線之間，源極與形成有該P溝道MOSFET的N阱連接，漏極和柵極連接而形成二極管形態，

上述第二源極線連接在與其相對應的上述第二電源線上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第一源極線與構成上述靜態型存儲單元的上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路的N溝道MOSFET的源極連接，

上述開關MOSFET是N溝道MOSFET，

上述第一電源線被提供電路的接地電位，

上述第二源極線與構成上述靜態型存儲單元的上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路的P溝道MOSFET的源極連接，并被提供正的電源電壓。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第一源極線與構成上述靜態型存儲單元的上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路的P溝道MOSFET的源極連接，

上述開關MOSFET是P溝道MOSFET，

上述第一電源線被提供正的電源電壓，

上述第二源極線與構成上述靜態型存儲單元的上述第一CMOS倒相電路和第二CMOS倒相電路的N溝道MOSFET的源極連接，并被提供電路的接地電位。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第一工作模式為不進行上述靜態型存儲單元的寫入和讀出動作的待機狀態，

上述第二工作模式是能夠進行上述靜態型存儲單元的寫入或讀出動作的有效狀態。