[發明專利]電子元件及其制備方法

有效

• 申請號: 200810092374.5
• 申請日: 2008-04-24
• 公開（公告）號: CN101325121A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 桑島一
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01F27/29
• 分類號: H01F27/29;H01F17/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘晶

技術領域

本發明涉及電子元件及其制備方法。更具體地，本發明涉及通過提高層間連接物(connector)的耐受性來提高電子元件可靠性的技術，所述電子元件是通過層壓導電膜和絕緣膜制成的。

背景技術

現今，提供了各種分立元件，例如片式電容器、片式電感器或片狀電阻器；以及各種片狀電子元件，例如每種都包括多個有源元件和無源元件的組合的電子設備(在下文中也簡稱為片狀元件(chip))。這些電子元件通常包括通過堆疊由導電材料制成的導電膜和由絕緣材料制成的絕緣膜所形成的層壓結構。片狀元件包括與片狀元件的類型相應的各種功能元件單元，例如電容器電極、電感器導體、電阻器導體和阻抗匹配線路。

此外，為了構建這些功能元件單元或者使功能元件單元彼此電連接，在片狀元件的內部設置有許多電接頭。例如，貫穿絕緣膜的通孔被用于連接導體，如上所述，所述導體是在其間被插入絕緣膜來層壓的。另外，將端電極設置在片狀元件的外表面(例如側面、底面或頂面)上，以獲得與外部(例如安裝板)的電連接和機械連接，并且這些端電極還與功能元件單元相連接。

此外，為了：防止片狀元件內部的短路、斷路、退化和腐蝕；以及保護片狀元件不受制備過程中所使用的各種處理液體的影響，或者保護片狀元件不受在將該片狀元件作為產品安裝之后所受到的物理外力、損壞、水份等的影響，在片狀元件的外部表面設置保護膜。

另外，在日本專利申請公開平成9-270342，平成11-154612和平成9-270325(參見圖7，第0045和0049段)(在下文中分別稱為專利文獻1、2和3)中公開了電子元件的例子。

發明內容

有時在傳統的電子元件中會發現在片狀元件內部的導體之間的連接缺陷。在本文中，還有提高電子元件的可靠性的進一步改進空間。

更精確地，當在用于形成端電極的基礎層的預處理和后處理之后觀察片狀元件時，例如，在化學清洗，例如脫脂處理之后，有時會發現以下現象：因為保護膜被分離，片狀元件內部的電極被侵蝕或腐蝕；或者，在介于保護膜和電極之間的界面上存在殘余物。在進行用于滾鍍或化學鍍的預處理清洗以形成端電極的主體層或表面層之后；或者在進行焊劑清洗以焊接成品片狀元件之后，同樣地會觀察到這些現象。在將這些電子元件安裝到各種裝置上并且作為產品長時間使用之后，上述的分離、侵蝕、腐蝕、殘余物等會惡化該裝置的性能，并且成為耐久性降低的原因。

而且，在可靠性評估測試，包括高濕度暴露測試、高濕度負荷測試和吸水回流測試(water?absorption?reflow?test))中，有時會觀察到質量的惡化，例如IR(互連電阻)惡化或電容器開路/短路缺陷。在耐電壓測試中也發現極限閾值的波動。

除了可歸因于上述化學負荷的惡化之外，在片狀元件加工步驟中也發現由物理和機械負荷造成的缺陷。更精確地，從大規模生產的觀點來看，上述的電子元件通常由以下方法制造：在單個基底材料(具有聚集在其上的多個片狀元件)上沉積和層壓膜，以共同形成內導體(功能元件單元)；然后，將該基底材料切割成單個片狀元件。在將該基底材料分成單個片狀元件的加工步驟中，可能產生切割毛刺，或者可能產生由于膜的損壞而導致的界面分離。同時，膜本身含有在沉積和層壓膜時所產生的殘余應力。盡管在片狀元件聚集時(膜在整個基底材料上是連續的)殘余應力被抑制，但是在被分成單個片狀元件時所述殘余應力會被釋放出來。這種應力的釋放也可能會導致每個片狀元件內部的膜的分離。

專利文獻1所公開的電子元件不能夠保護導體之間的連接物，以及介于導體和保護膜或絕緣膜之間的界面部分。類似地，專利文獻2所公開的電子元件僅僅設置有厚的最外層，不能夠顯著保護介于絕緣膜和導體之間的界面。此外，專利文獻3公開了一種被配置為使覆蓋有絕緣層的內導體與外部連接端子電連接的結構。然而，這種結構包括形成為通孔的電極引出單元16和由填充于該通孔中的導體制成的引出電極17，設置該引出電極17僅僅為覆蓋絕緣樹脂層12。因此，這種結構不能夠充分地屏蔽處理流體或水份。

因此，本發明的目的是進一步提高通過層壓導電膜和絕緣膜所形成的電子元件的可靠性，其是通過提高電子元件的導體之間的連接物的耐受性的方式，或者更具體地通過提高通孔的耐受性的方式。