[發(fā)明專利]電子元件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810092374.5 | 申請日： | 2008-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101325121A | 公開（公告）日： | 2008-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 桑島一 | 申請（專利權(quán)）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01F27/29 | 分類號： | H01F27/29;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 鐘晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種電子元件，其包括：
由導(dǎo)電材料制成的第一導(dǎo)體；
由絕緣材料制成的并且被配置為覆蓋所述第一導(dǎo)體的表面的絕緣體；
由導(dǎo)電材料制成的并且位于所述絕緣體的表面上的第二導(dǎo)體；
貫穿所述絕緣體的通孔；
被填充到所述通孔內(nèi)以填埋所述通孔內(nèi)部的空隙的填充物；以及
具有導(dǎo)電性的防護(hù)膜，所述防護(hù)膜被插入在所述第一導(dǎo)體和所述填充物之間，并且通過至少從構(gòu)成所述通孔的底面的第一導(dǎo)體表面連續(xù)地延伸到所述通孔的內(nèi)壁表面，以及進(jìn)一步連續(xù)地延伸到在所述通孔周圍的絕緣體的表面，在通孔內(nèi)覆蓋介于所述第一導(dǎo)體和絕緣體之間的界面，所述第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體通過具有導(dǎo)電性的防護(hù)膜電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，
其中，第二導(dǎo)體是在所述電子元件的側(cè)面上設(shè)置的側(cè)面導(dǎo)體的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件，
其中，將所述防護(hù)膜形成為進(jìn)一步覆蓋所述電子元件的側(cè)面，以及
在所述防護(hù)膜上形成所述側(cè)面導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，
其中，所述第二導(dǎo)體是在所述電子元件的頂面和底面中的任意一個面上設(shè)置的端電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，
其中，所述防護(hù)膜是至少具有任一種以下性能的膜：對包括脫脂液的表面活性物質(zhì)處理流體的耐受性，對酸性化學(xué)品溶液的耐受性，對堿性化學(xué)品溶液的耐受性，對溶劑的耐受性，對醇的耐受性，對鍍覆液的耐受性，對蝕刻液的耐受性，耐濕性，耐氣體滲透性和耐腐蝕性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，
其中，所述防護(hù)膜是通過氣相生長法制成的薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，
其中，所述防護(hù)膜是含有以下任意一種作為主要組分的膜：Cr、Ni、Ti、Cu、W、Ag和Al。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件，
其中，所述防護(hù)膜是含有導(dǎo)電顆粒的膜，所述導(dǎo)電顆粒具有等于或小于1.0μm的粒徑。
9.一種用于制造電子元件的方法，其包括：
第一導(dǎo)體形成步驟，形成由導(dǎo)電材料制成的第一導(dǎo)體；
絕緣體形成步驟，形成由絕緣材料制成的絕緣體，該絕緣體被配置為覆蓋所述第一導(dǎo)體的表面，并且設(shè)置有通孔；
通孔填充步驟，使用填埋通孔內(nèi)部的空隙的填充物來填充所述通孔；以及
第二導(dǎo)體形成步驟，形成由導(dǎo)電材料制成的第二導(dǎo)體，該第二導(dǎo)體位于所述絕緣體的表面上，并且與所述第一導(dǎo)體電連接，
其中，在多個電子元件聚集在單個基底材料的情形下，至少實(shí)施所述第一導(dǎo)體形成步驟、所述絕緣體形成步驟和所述通孔填充步驟，以提供具有第一導(dǎo)體、絕緣體、通孔和填充物的各個電子元件，以及
然后將所述基底材料切割成片狀元件，以獲得多個單個的電子元件，
所述方法進(jìn)一步包括：
防護(hù)膜形成步驟，在所述絕緣體形成步驟之后以及在所述通孔填充步驟之前，為每個聚集在基底材料上的電子元件提供防護(hù)膜，所述防護(hù)膜具有導(dǎo)電性，被插入在所述第一導(dǎo)體和所述填充物之間，并且通過至少從構(gòu)成所述通孔的底面的第一導(dǎo)體表面連續(xù)地延伸到所述通孔的內(nèi)壁表面，以及進(jìn)一步連續(xù)地延伸到在所述通孔周圍的絕緣體的表面，覆蓋介于所述第一導(dǎo)體和在通孔內(nèi)的絕緣體之間的界面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造電子元件的方法，
其中，通過設(shè)置連接導(dǎo)體和填充物中的任意一種使所述通孔的上表面被平滑化。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造電子元件的方法，所述方法進(jìn)一步包括：
拋光步驟，通過在通孔的內(nèi)部設(shè)置連接導(dǎo)體和填充物中的任意一種之后，拋光連接導(dǎo)體和填充物中的任意一種的上表面，使所述通孔的上表面平滑化。
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