[發明專利]有機場致發光裝置

有效

• 申請號: 200810092343.X
• 申請日: 2008-04-22
• 公開（公告）號: CN101296539A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 三矢將之;安川浩司
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H05B33/22
• 分類號: H05B33/22;H05B33/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

本發明對2007年4月25號申請的日本專利申請第2007-115137號和2007年4月25號申請的日本專利申請第2007-115138號主張優先權，并在此援用其內容。?

技術領域

本發明涉及有機場致發光裝置。?

背景技術

近年，作為具備不需要背光燈等光源的自發光元件的顯示裝置，具備場致發光元件(以下稱為有機EL元件)的有機EL裝置受到關注。?

作為有機EL裝置的構成，公知有如下構成，其中具備：設置在基板上的開關元件(例如TFT元件)、對TFT元件的形成所引起的凹凸進行緩和的平坦化層、設置在平坦化層上并與TFT元件電連接且形成為與各像素區域對應的像素電極、陰極、和被夾持在像素電極與陰極之間的有機發光層。而且，該構成中，在平坦化層上形成有接觸孔，像素電極與TFT元件通過接觸孔電連接。?

還有，在特開平5-275172號公報中，公開了具備用于防止鄰接的像素區域間的像素電極的接觸、或像素電極與陰極的接觸的隔壁的有機EL裝置。作為這樣的隔壁的形成材料，使用與上述平坦化層的形成材料同樣的丙烯酸樹脂或聚酰亞胺等。?

但是，有機EL裝置的制造工序中，在上述像素電極上形成有機發光層之前，作為除去例如由ITO(銦錫氧化物)構成的像素電極表面的污垢的表面清洗工序，進行等離子體處理。?

但是，若進行這樣的等離子體處理，則因構成上述隔壁的丙烯酸樹脂或聚酰亞胺的一部分被蝕刻而在像素電極上附著異物，像素電極的表面被污染，有可能使發光特性降低。?

因此，例如，在特開2005-216714號公報中公開了一種通過改良構成隔壁的有機材料來實現防止因等離子體處理引起的不良情況的技術。?

但是，為了良好地除去像素電極表面的污垢，希望進行利用了更強的等離子體的處理。?

但是，由于上述的特開2005-216714號公報所公開的隔壁材料由有機材料構成，因此對于有機材料的等離子體耐性而言是有限的。所以，上述有機材料難以具有充分的等離子體耐性。?

結果，因抑制等離子體處理的強度，會使得像素電極表面的清洗處理變得不充分。反之，使隔壁暴露于等離子體耐性以上的等離子體中實施等離子體處理，則像素電極的表面會被污染。這些原因有可能導致有機EL裝置的發光特性降低。?

發明內容

本發明鑒于上述情況而實現，目的在于通過防止由等離子體表面處理引起的不良情況來提供在長時間內獲得良好的發光特性的有機場致發光裝置。?

為了解決上述課題，本發明的第一方式的有機場致發光裝置，包括：基板；隔壁構造，其包圍在所述基板上形成的像素區域，該隔壁構造具有：由無機材料構成的無機隔壁和由有機材料構成的有機隔壁所構成的層疊構造、由無機材料構成并對所述有機隔壁的表面進行覆蓋的無機保護膜；像素電極，其與所述隔壁構造接觸；有機發光層，其配置在所述像素電極上；和陰極，其覆蓋所述有機發光層。?

根據本發明的有機場致發光裝置，由于形成有覆蓋有機隔壁的表面的無機保護膜，因此，例如在形成有機發光層時，即使在通過等離子體處理對像素電極表面進行了清洗的情況下，也能由無機保護膜防止有機隔壁受到等離子體損傷。?

由此，不會發生有機隔壁的形成材料的一部分因等離子體處理而被蝕刻使得其一部分作為異物附著在像素電極的表面造成的像素電極的污染。?

因此，能在像素電極上良好地形成有機發光層，可提供能在長時間內獲得良好的發光特性的有機場致發光裝置。?

而且，在上述有機場致發光裝置中，優選所述無機保護膜以SiO、SiO_-2?、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一種為主體而構成。?

根據該構成，即使在進行了如上述的等離子體處理的情況下，也能良好地防止給有機隔壁帶來損傷。?

并且，在上述有機場致發光裝置中，優選所述無機保護膜的膜厚在50nm以上200nm以下。?

根據該構成，由于無機保護膜的膜厚在50nm以上，因此能獲得充分的等離子體耐性。還有，由于無機保護膜的膜厚在200nm以下，因此能抑制因膜厚過厚而無機保護膜產生裂紋。?

再有，在上述有機場致發光裝置中，優選所述有機發光層由氣相法形成。?

根據該構成，在如上所述基于清洗處理防止了污染的像素電極上，能通過例如蒸鍍法等的氣相法來良好地形成有機發光層。因此，能提供可靠性高、可獲得良好的發光特性的有機場致發光裝置。?