[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810092343.X
• 申請(qǐng)日: 2008-04-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101296539A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三矢將之;安川浩司
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 精工愛(ài)普生株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H05B33/22
• 分類(lèi)號(hào): H05B33/22;H05B33/26
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

1.?一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括：

基板；

隔壁構(gòu)造，其包圍形成在所述基板上的像素區(qū)域，該隔壁構(gòu)造具有： 由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的無(wú)機(jī)隔壁和由有機(jī)材料構(gòu)成的有機(jī)隔壁所構(gòu)成的層疊 構(gòu)造、由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成并對(duì)所述有機(jī)隔壁的表面進(jìn)行覆蓋的無(wú)機(jī)保護(hù)膜；

像素電極，其與所述隔壁構(gòu)造接觸；

有機(jī)發(fā)光層，其配置在所述像素電極上；和

陰極，其覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的 任一種為主體而構(gòu)成。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜的膜厚在50nm以上200nm以下。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述有機(jī)發(fā)光層由氣相法形成。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述有機(jī)隔壁的內(nèi)側(cè)面具有剖面觀察呈錐形狀的傾斜面。

6.?一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，包括：

基板；

平坦化層，其形成在所述基板上，由有機(jī)材料構(gòu)成；

像素電極，其設(shè)置在所述平坦化層上；

無(wú)機(jī)隔壁，其按照覆蓋所述像素電極的上端部的方式設(shè)置于所述平坦 化層上，形成有使所述平坦化層露出的第一開(kāi)口部；

有機(jī)隔壁，其形成在所述無(wú)機(jī)隔壁上，通過(guò)所述第一開(kāi)口部而與所述 平坦化層接觸，被具有第二開(kāi)口部并由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的無(wú)機(jī)保護(hù)膜覆蓋， 并通過(guò)所述第二開(kāi)口部而露出；

有機(jī)發(fā)光層，其設(shè)置在所述像素電極上；和

陰極，其設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第二開(kāi)口部形成在與所述有機(jī)隔壁的上表面對(duì)應(yīng)的位置。

8.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

從所述基板的鉛直方向觀察，所述第二開(kāi)口部形成為與所述第一開(kāi)口 部的至少一部分重疊。

9.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的 任一種為主體而構(gòu)成。

10.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述無(wú)機(jī)保護(hù)膜的膜厚在50nm以上200nm以下。

11.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，其特征在于，

所述有機(jī)發(fā)光層由氣相法形成。