[發明專利]芯片的導電結構無效
| 申請號： | 200810092277.6 | 申請日： | 2008-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101562161A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發明（設計）人： | 黃祥銘;劉安鴻;李宜璋;蔡豪殷;何淑靜 | 申請（專利權）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 陸 嘉 |
| 地址： | 臺灣省新竹科學*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 導電 結構 | ||
1.一種芯片的導電結構，其特征在于，包含：
一重新分布層，形成于所述芯片的一上方，其具有一第一導電區域及一第二導電區域，所述第一導電區域與所述芯片電性連接；
一凸塊下金屬層，形成于所述重新分布層的第二導電區域上，并與其電性連接；
一焊塊，形成于所述凸塊下金屬層上，并與其電性連接；
其特征在于：所述芯片及所述重新分布層之間，另設有：
一接地層，形成于所述芯片上；以及
一介電層，覆蓋所述接地層。
2.如權利要求1所述的導電結構，其特征在于，所述芯片包含多個焊盤及一第一保護層，所述多個焊盤至少包含一輸入/輸出焊盤及一接地焊盤，所述接地層形成于所述第一保護層上，并與所述接地焊盤電性連接。
3.如權利要求2所述的導電結構，其特征在于，所述重新分布層是覆蓋于所述介電層上，并在所述第一導電區域與所述芯片的輸入/輸出焊盤電性連接。
4.如權利要求3所述的導電結構，其特征在于，還包含一第二保護層，覆蓋所述重新分布層，并局部暴露所述第二導電區域。
5.如權利要求4所述的導電結構，其特征在于，所述介電層是由聚亞酰胺、苯環丁烯及SU-8光阻的其中之一所制成。
6.如權利要求5所述的導電結構，其特征在于，所述第二保護層與所述介電層具有實質上相同的一介電常數。
7.如權利要求6所述的導電結構，其特征在于，所述第二保護層是由聚亞酰胺、苯環丁烯及SU-8光阻的其中之一所制成。
8.如權利要求6所述的導電結構，其特征在于，所述介電層與所述第二保護層所形成的一厚度、所述重新分布層的一寬度、所述重新分布層的一厚度、及所述介電常數，是對應形成一關系，使所述導電結構在傳送一高頻信號時，所述重新分布層適可形成一阻抗匹配。
9.如權利要求1所述的導電結構，其特征在于，所述凸塊下金屬層為一無電解電鍍層。
10.如權利要求9所述的導電結構，其特征在于，所述無電解電鍍層是由鎳及金所制成。
11.如權利要求1所述的導電結構，其特征在于，所述凸塊下金屬層為一濺鍍層。
12.如權利要求2所述的導電結構，其特征在于，各所述焊盤是由鋁及銅的其中之一所制成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司，未經南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810092277.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：收銀箱的罩殼與塑框的安裝結構
- 下一篇：透鏡及其制造方法
