[發明專利]靜電保護電路有效
| 申請號: | 200810091766.X | 申請日: | 2008-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN101286509A | 公開(公告)日: | 2008-10-15 |
| 發明(設計)人: | 奧島基嗣 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 鐘強;關兆輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 保護 電路 | ||
技術領域
本發明涉及到一種靜電保護電路,特別是針對從外部端子流入的靜電放電(ESD:electrostatic?discharge)的保護電路。
背景技術
由MOS晶體管等構成的半導體集成電路裝置(IC)要求具有針對由靜電放電而施加于半導體集成電路裝置的外部端子(輸入輸出墊片)上的浪涌電壓以及浪涌電流的ESD抗性。因此,一般在外部端子上連接靜電保護電路。作為這種靜電保護電路的一種,使用將柵極接地的NMOS晶體管構成的保護元件。
然而,近幾年,半導體集成電路裝置的精細化在進步,內部晶體管的靜電放電抗性變得重要。圖13為表示隨著晶體管的精細化,柵極氧化膜的破壞電壓(VBD)和保護元件的鉗位電壓(Vclamp)的變化的圖。在圖13中,隨著晶體管的精細化,柵極氧化膜變得薄膜化,VBD與柵極氧化膜厚度大致成比例地急劇減少。與此相對,將柵極接地的NMOS晶體管類型的保護元件的Vclamp幾乎不降低,表示ESD抗性的設計窗口(VBD-Vclamp)變小。
為了擴張該設計窗口(design?window),已知有進一步在被保護元件上設置輔助性的保護電路(第二保護元件)的技術。通過第二保護元件,使得主要保護元件(第一保護元件)的靜電放電時產生的電壓被緩和,不會直接施加到被保護元件上。亦即,能夠擴張設計窗口。其中,第一保護元件具有流盡由靜電放電產生的大電流的能力。并且,第二保護元件針對第一保護元件使大電流放電時產生的電壓,緩和在被保護元件的最為關鍵的位置產生的電壓。
該種靜電保護電路的一個例子被記載在非專利文獻1中,其他例子記載在專利文件1中(參照圖14)。
在圖14中,輸入端子In與接地端子GND之間具有靜電保護元件100a,在輸入端子In與電源端子VDD之間具有靜電保護元件100b。并且,電阻元件R101位于輸入端子In與Nch晶體管N101及Pch晶體管P101的柵極之間。進而,在該兩個柵極與接地端子GND之間,保護元件101具有例如兩個柵極與漏極相連接,接地端子GND與柵極及源極相連接的Nch晶體管N102。Nch晶體管N101與Pch晶體管P101構成輸入級驅動(倒相電路),向內部電路傳遞提供給輸入端子In的信號。
在如上構成的靜電保護電路中,靜電保護元件100a、100b作為第一保護元件(主保護元件)起作用,電阻元件R101以及保護元件101作為第二保護元件起作用。并且,輸入級驅動相當于被保護元件。亦即,在輸入端子In上施加由靜電放電引起的電壓VESD的情況下,通過靜電保護元件100a不能吸收的放電電流Id經由電阻元件R101以及保護元件101(擊穿后的Nch晶體管N102)流到接地端子GND。此時,Nch晶體管N101的源極、柵極之間的電壓Vstress被Nch晶體管N102的擊穿電壓限制,防止Nch晶體管N101受到由靜電放電引起的損傷。
并且,專利文獻1中記載了其他靜電保護電路的例子(參照圖15)。在圖15中,輸入端子IN和接地端子VSS之間具有靜電保護元件206,輸入端子IN和電源端子VDD之間具有靜電保護元件208。并且,靜電保護元件226在輸入端子IN即Nch晶體管204及Pch晶體管202的柵極和Nch晶體管204的源極之間,靜電保護元件228在輸入端子IN與Pch晶體管202的源極之間。進而,Nch晶體管204的源極與接地端子VSS之間具有電阻元件等阻抗電路224,Pch晶體管202的源極與電源端子VDD之間具有電阻元件等阻抗電路222。Nch晶體管204和Pch晶體管202構成輸入級驅動(倒相電路),將輸入端子IN提供的信號傳遞給輸出OUTPUT。
在如上構成的靜電保護電路中,靜電保護元件206、208作為第一保護元件(主保護元件)起作用,靜電保護元件226與阻抗電路224、以及靜電保護元件228與阻抗電路222作為第二保護元件起作用。并且,輸入級驅動相對于被保護元件。亦即,由靜電放電向輸入端子IN施加電壓Vesd的情況下,不能被靜電保護元件206吸收的放電電流經由靜電保護元件226和阻抗電路224流到接地端子VSS。此時,Nch晶體管204的源極、柵極間的電壓被靜電保護元件226的擊穿電壓Vasp限制,防止Nch晶體管204受到由靜電放電引起的損傷。另外,對于Pch晶體管202,也同樣地起到靜電保護功能,因而省略其說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





