[發明專利]靜電保護電路有效
| 申請號： | 200810091766.X | 申請日： | 2008-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN101286509A | 公開（公告）日： | 2008-10-15 |
| 發明（設計）人： | 奧島基嗣 | 申請（專利權）人： | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 鐘強;關兆輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 保護 電路 | ||
1.一種靜電保護電路，其特征在于，包括：
第一端子；
第二端子，
第一MOS晶體管，其漏極及源極連接在上述第一及第二端子間；
第一靜電保護元件，連接在上述第一及第二端子間；以及
第二靜電保護元件，連接在上述第一MOS晶體管的漏極和柵極間。
2.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于，
上述第一MOS晶體管的柵極上連接有內部電路，通過由向上述第一端子施加靜電而在上述第二靜電保護元件中流過的電流以及由上述第一MOS晶體管的柵極將上述內部電路估計在內的阻抗，將上述第一MOS晶體管的柵極/漏極間電壓限制在希望值以下。
3.根據權利要求2所述的靜電保護電路，其特征在于，
上述內部電路包括第二MOS晶體管，上述第二MOS晶體管的漏極與上述第一MOS晶體管的柵極連接，并且源極與上述第二端子連接，與上述第一MOS晶體管為相同導電型，
將上述內部電路估計在內的阻抗包括上述第二MOS晶體管中的漏極/源極間的阻抗成分。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電保護電路，其特征在于，
上述第一端子為輸出端子，
上述第二端子為電源端子或接地端子，
具有將上述輸出端子作為輸出的輸出驅動電路，
上述第一MOS晶體管包含在上述輸出驅動電路中。
5.根據權利要求4所述的靜電保護電路，其特征在于，
上述輸出驅動電路包括輸出用差動放大電路，
上述第一MOS晶體管是上述差動放大電路的差動對中的一個晶體管。
6.根據權利要求4所述的靜電保護電路，其特征在于，
上述輸出驅動電路包括輸出用差動放大電路，
上述第一MOS晶體管是與上述差動放大電路的差動對的源極連接的電流源用的晶體管。
7.一種半導體裝置，其特征在于，
具有權利要求1至6中任一項所述的靜電保護電路。
8.一種靜電保護電路，其特征在于，包括：
第一端子；
第二端子；
第一MOS晶體管，其漏極及源極連接在上述第一及第二端子間；
第一靜電保護元件，連接在上述第一及第二端子間；以及
第二靜電保護元件，將上述第一MOS晶體管的柵極與第一及第二端子中與第一MOS晶體管的漏極直接或間接連接的一個端子連接。
9.一種靜電保護電路，其特征在于，包括：
第一端子；
第二端子；
第一MOS晶體管，其漏極及源極連接在上述第一及第二端子間；
第一元件，連接在上述第一及第二端子間；以及
第二元件，將上述第一MOS晶體管的柵極與第一及第二端子中與第一MOS晶體管的漏極直接或間接連接的一個端子連接，
上述第一及第二元件在超過預定電壓時，阻抗降低。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
