[發明專利]涂敷顯影裝置及其方法以及存儲介質有效
| 申請號: | 200810090960.6 | 申請日: | 2008-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101276745A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 松岡伸明;橋本隆浩;土屋勝裕;林伸一;林田安 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;G03F7/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯影 裝置 及其 方法 以及 存儲 介質 | ||
技術領域
本發明涉及例如對半導體晶片、LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板進行抗蝕劑液的涂敷處理、曝光后的顯影處理等的涂敷顯影裝置及其方法以及存儲介質。
背景技術
在半導體設備以及LCD基板的制造工序中,利用所謂的光刻技術對基板實施抗蝕劑圖形的形成。該技術通過下述一連串工序來進行,即,例如對半導體晶片(以下稱為“晶片”)等基板涂敷抗蝕劑液,在該晶片的表面形成液膜,使用光掩模對該抗蝕劑膜進行曝光,之后進行顯影處理而得到期望的圖形。
這種處理一般是使用在進行抗蝕劑液的涂敷和顯影的涂敷顯影裝置中連接曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置而進行的,但是,為了進一步增大涂敷顯影裝置的處理速度,在專利文獻1中提出有一種結構,即,沿上下方向配置用來收納曝光處理前的模塊的區域與用來收納曝光處理后的模塊的區域,在各個區域中設置搬送單元,從而減輕搬送單元的負載以提高搬送效率,以此來提高涂敷顯影裝置的處理能力。
例如,該技術如圖17所示,以載體塊S1、處理塊S2和界面塊S3的順序連接設置這些塊,并且所述處理塊S2通過相互層疊用來進行顯影處理的顯影塊B1、B2、用來進行抗蝕劑液的涂敷處理的涂敷塊B4、用來在抗蝕劑液涂敷之前或之后分別形成反射防止膜的反射防止膜形成塊B3、B5而構成。在所述處理塊S2的各個塊B1~B5中配備:用來進行顯影處理和抗蝕劑液涂敷處理、反射防止膜形成用的藥液涂敷處理等的液處理的液處理部、多層排列進行所述液處理之前或之后的處理的處理單元的擱板(shelf)單元、在液處理部與擱板單元的各部之間搬送晶片W的搬送單元A1~A5,并且具備通過擱板單元U5、U6在各個塊B之間交接晶片W的專用的交接臂。
通過設置在載體塊S1上的傳輸臂C將晶片W搬送至處理塊S2中,使用搬送單元A1~A5和交接臂D1、D2將晶片W搬送至規定的處理單元,由此,減輕傳輸臂C、搬送單元A1~A5、交接臂的負擔,從而提高整個裝置的處理能力
在上述裝置中,作為所述液處理部例如準備3個液處理單元并且具有與該液處理單元對應個數的所述處理單元,能夠確保例如180個/hr左右的處理能力,但是,要求出現一種超過市售裝置處理能力的200個/hr~250個/hr左右的高處理能力的裝置。
然而,若通過增多設置在顯影塊B1、涂敷塊B3的液處理部以及進行液處理部前后的處理的處理單元來實現處理能力的提高,則會導致搬送單元的負擔增大,結果,難以提高裝置整體的處理能力。此外,考慮增加顯影塊B1等的層疊數來增加所述液處理部和處理單元的個數,但是此時會增加在各個塊B1~B5之間進行晶片W的交接的交接臂的負擔,因此,仍然難以提高裝置整體的處理能力。
而且,考慮通過橫向配置多個所述處理塊S2來提高處理能力,但是若這樣增加處理塊S2本身來增加涂敷塊B4等的個數,則在向接近載體塊S1的處理塊S2的涂敷塊B3搬送晶片W時,向遠離載體塊S1的處理塊S2的涂敷塊B4搬送晶片W時的搬送路徑各不相同,因此,使搬送路徑變得復雜,存在使搬送程序的編成變得非常困難的問題。
專利文獻1:日本特開2006-203075號公報
發明內容
本發明是鑒于上述問題而提出的,其目的在于提供一種在涂敷顯影裝置中能夠容易制成搬送程序并且能夠提高處理能力的技術。
本發明的一種涂敷顯影裝置,其特征在于:
利用涂敷膜形成用單位塊在由載體搬入到載體塊中的基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜,然后,經由界面塊將該基板搬送至曝光裝置,利用顯影處理用單位塊對經由所述界面塊返回的曝光后的基板進行顯影處理并將其交接至所述載體塊,并且,在所述涂敷膜形成用單位塊和顯影處理用單位塊中均包括:用于將藥液涂敷在基板上的液處理模塊、加熱基板的加熱模塊、冷卻基板的冷卻模塊、以及在這些模塊之間搬送基板的單位塊用的基板搬送單元,其中,
所述涂敷顯影裝置包括:
第一處理塊,其構成為與所述載體塊連接地設置,并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內的多個單位塊,通過設置在載體塊上的交接單元來與載體塊之間進行基板的交接;
第二處理塊,其構成為與所述界面塊連接地設置,并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內的多個單位塊,通過設置在界面塊上的界面臂來與界面塊之間進行基板的交接;
交接塊,設置在第一處理塊和第二處理塊之間,多層設置有通過第一處理塊的單位塊的基板搬送單元以及第二處理塊的單位塊的基板搬送單元進行基板的交接的公共交接部,并且具有在這些公共交接部彼此之間進行基板的搬送的交接臂;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





