[發明專利]涂敷顯影裝置及其方法以及存儲介質有效
| 申請號: | 200810090960.6 | 申請日: | 2008-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101276745A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 松岡伸明;橋本隆浩;土屋勝裕;林伸一;林田安 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/677;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉春成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯影 裝置 及其 方法 以及 存儲 介質 | ||
1.一種涂敷顯影裝置,其特征在于:
利用涂敷膜形成用單位塊在由載體搬入到載體塊中的基板上形成包括抗蝕劑膜的涂敷膜,然后,經由界面塊將該基板搬送至曝光裝置,利用顯影處理用單位塊對經由所述界面塊返回的曝光后的基板進行顯影處理并將其交接至所述載體塊,并且,在所述涂敷膜形成用單位塊和顯影處理用單位塊中均包括:用于將藥液涂敷在基板上的液處理模塊、加熱基板的加熱模塊、冷卻基板的冷卻模塊、以及在這些模塊之間搬送基板的單位塊用的基板搬送單元,其中,
所述涂敷顯影裝置包括:
第一處理塊,其構成為與所述載體塊連接地設置,并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內的多個單位塊,通過設置在載體塊上的交接單元與載體塊之間進行基板的交接;
第二處理塊,其構成為與所述界面塊連接地設置,并且層疊包括涂敷膜形成用單位塊在內的多個單位塊,通過設置在界面塊上的界面臂與界面塊之間進行基板的交接;
交接塊,設置在第一處理塊和第二處理塊之間,多層設置有通過第一處理塊的單位塊的基板搬送單元以及第二處理塊的單位塊的基板搬送單元進行基板的交接的公共交接部,并且具有在這些公共交接部彼此之間進行基板的搬送的交接臂;
顯影處理用單位塊,設置在第一處理塊和第二處理塊的至少一方,層疊在所述涂敷膜形成用的單位塊上;
第一直通搬送單元,設置在所述第一處理塊上,用于在載體塊與交接塊的公共交接部之間進行基板的交接;
第二直通搬送單元,設置在所述第二處理塊上,用于在交接塊的公共交接部和界面塊之間進行基板的交接;以及
用于控制所述交接單元、直通搬送單元、交接臂、基板搬送單元和界面臂的單元,使得通過第一直通搬送單元從載體塊將基板搬送至交接塊,從該交接塊將基板分配交接至第一處理塊的涂敷膜形成用單位塊和第二處理塊的涂敷膜形成用單位塊,接著,將利用第一處理塊和第二處理塊形成有包括抗蝕劑膜的涂敷膜的基板從第一處理塊和第二處理塊交接至交接塊,之后,通過第二直通搬送單元將基板從交接塊搬送至界面塊。
2.如權利要求1所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
通過第二直通搬送單元將形成有包括抗蝕劑膜的涂敷膜的基板從交接塊搬送至界面塊被取代為:通過基板搬送單元將形成有包括抗蝕劑膜的涂敷膜的基板從第二處理塊搬送至界面塊。
3.如權利要求2所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
在所述第一處理塊中,在與載體塊鄰接的區域多層設置有在該第一處理塊的層積的單位塊彼此之間進行基板的交接并且在第一處理塊與載體塊之間進行基板的交接的第一交接部,并設置有在這些第一交接部彼此之間進行基板的搬送的第一交接臂。
4.如權利要求1所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
在所述第一處理塊中,在與載體塊鄰接的區域多層設置有在該第一處理塊的層積的單位塊彼此之間進行基板的交接并且在第一處理塊與載體塊之間進行基板的交接的第一交接部,并設置有在這些第一交接部彼此之間進行基板的搬送的第一交接臂。
5.如權利要求1~4中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
在所述第二處理塊中,在與界面塊鄰接的區域多層設置有在該第二處理塊的層積的單位塊彼此之間進行基板的交接并且在第二處理塊與界面塊之間進行基板的交接的第二交接部,并設置有在這些第二交接部彼此之間進行基板的搬送的第二交接臂。
6.如權利要求1~4中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述第一直通搬送單元以及第二直通搬送單元具有用于從載體塊向界面塊搬送基板的進路用的直通搬送單元以及用于從界面塊向載體塊搬送基板的回路用的直通搬送單元。
7.如權利要求1~4中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
在第一處理塊和第二處理塊中,用于形成同類涂敷膜的單位塊通過交接塊鄰接地設置,用于形成同類涂敷膜的單位塊的基板搬送單元相對于交接塊的公共交接部進行基板的交接。
8.如權利要求1~4中任一項所述的涂敷顯影裝置,其特征在于:
所述涂敷膜形成用單位塊包括:在基板上形成抗蝕劑膜的單位塊以及在基板上形成抗蝕劑膜之前或者之后在基板上形成反射防止膜的單位塊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





