[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 200810090806.9
• 申請日: 2008-04-02
• 公開（公告）號: CN101281861A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 卡爾·普利瓦西爾
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳堅

技術領域

本發明涉及即使形成得薄處理也變容易的晶片的加工方法。

背景技術

將在表面側形成有多個IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(largescale?integration：大規模集成電路)等器件的晶片使用切割裝置等分割為一個個器件，并組裝到各種電子設備中廣泛使用。而且，為實現電子設備的小型化、輕量化等，對分割成一個個器件前的晶片磨削背面，使其厚度形成為例如20μm～100μm。

但是，由于通過磨削而形成得薄的晶片剛性消失，所以存在在后續的工序中的處理和搬運變得困難這樣的問題。例如，難以在通過背面磨削而變薄的晶片的背面覆蓋大約幾十nm的厚度的由金、銀、鈦等構成的金屬膜。

因此，本申請人提出了以下這樣晶片的加工方法并申請了專利：對晶片背面中的、作為形成有器件的部分的器件區域的背面進行磨削以形成期望的厚度，通過使其外周側不磨削而殘留來形成環狀增強部，從而在提高了晶片的剛性、處理和搬運變得容易的狀態下在背面覆蓋金屬膜，然后除去環狀增強部，并通過切割而分割成一個個器件(參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2007-19379號公報

但是，在專利文獻1所記載的晶片的加工方法中，在磨削環狀增強部的背面來除去環狀增強部時，為了不磨削在器件區域的背面覆蓋的金屬膜，必須將磨削磨石準確地對位在環狀增強部上，所以存在用于此處的控制煩雜的問題。

發明內容

因此，本發明要解決的問題是：在磨削晶片的器件區域的背面以在其周圍形成環狀增強部后，在晶片的背面覆蓋金屬膜，并能夠在不損傷該金屬膜的情況下容易地除去環狀增強部。

本發明涉及一種晶片的加工方法，其至少由以下工序構成：環狀增強部形成工序，在晶片的表面上形成有將多個器件通過間隔道劃分開而形成的器件區域、和圍繞器件區域的外周剩余區域，將該晶片的表面側保持在磨削裝置的卡盤工作臺上，磨削器件區域的背面以形成凹部，并且在凹部的外周側形成環狀增強部；金屬膜覆蓋工序，在環狀增強部形成工序后，在晶片的背面覆蓋金屬膜；和環狀增強部除去工序，在金屬膜覆蓋工序后，除去環狀增強部，其特征在于，

在環狀增強部除去工序中，使用了磨削裝置，該磨削裝置至少具有：卡盤工作臺，其可旋轉，并且具有保持晶片的保持面；磨削構件，其磨削輪構成為可旋轉，在該磨削輪上呈環狀地配置有對保持在上述卡盤工作臺上的晶片進行磨削的磨削磨石；以及磨削進給構件，其相對于保持面在垂直方向上對磨削構件進行磨削進給，將晶片的表面側保持在卡盤工作臺上并使其旋轉，并且在使磨削輪旋轉的同時，通過利用磨削進給構件進行磨削進給，來以磨削磨石的軌跡與環狀增強部相交的方式使磨削磨石作用在晶片的背面上，以磨削環狀增強部，在環狀增強部的磨削面到達在器件區域背面的覆蓋金屬膜的上表面上方的20μm～1μm的位置時，結束磨削。

在環狀增強部除去工序后，在將切割帶粘貼到晶片的背面、并且晶片通過切割帶支撐于切割框架上的狀態下，實施沿著間隔道將晶片分割為一個個器件的分割工序。切割帶的厚度優選為80μm～100μm。

在本發明中，在環狀增強部除去工序中，以磨削磨石的旋轉軌道與環狀增強部相交的方式進行磨削，所以不需要將磨削磨石準確地對位在環狀增強部的上方，控制變得容易。此外，由于在環狀增強部的磨削面到達在器件區域的背面上覆蓋的金屬膜的上表面上方的20μm～1μm的位置時結束磨削，所以磨削磨石不會接觸器件區域的背面的金屬膜。因此，不會損傷器件區域背面的金屬膜。

再有，在環狀增強部除去工序之后的分割工序中，環狀增強部的背面以比器件區域的金屬膜凸出20μm～1μm的狀態粘貼在切割帶上，但如果是該程度的高度差，則比切割帶的厚度還小，由于切割帶柔軟，所以該高度差通過切割帶被吸收，從而不會妨礙切削。

附圖說明

圖1是表示晶片及保護部件的立體圖。

圖2是表示在表面粘貼有保護部件的晶片的立體圖。

圖3是表示環狀增強部形成工序的立體圖。

圖4是表示環狀增強部形成工序結束后的晶片的立體圖。

圖5是表示環狀增強部形成工序結束后的晶片的剖面圖。

圖6是概要表示減壓成膜裝置的一個示例的剖面圖。

圖7是表示金屬膜覆蓋工序結束后的晶片的剖面圖。

圖8是表示磨削裝置的一個示例的立體圖。

圖9是表示環狀增強部除去工序的立體圖。

圖10是表示環狀增強部形成工序結束后的晶片的剖面圖。