[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810090806.9
• 申請日: 2008-04-02
• 公開（公告）號: CN101281861A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卡爾·普利瓦西爾
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳堅

1.一種晶片的加工方法，其至少由以下工序構(gòu)成：

環(huán)狀增強(qiáng)部形成工序，在晶片的表面上形成有將多個器件通過間隔道劃分開而形成的器件區(qū)域、和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，將該晶片的上述表面?zhèn)缺３衷谀ハ餮b置的卡盤工作臺上，磨削上述器件區(qū)域的背面以形成凹部，并且在該凹部的外周側(cè)形成環(huán)狀增強(qiáng)部；

金屬膜覆蓋工序，在上述環(huán)狀增強(qiáng)部形成工序后，在上述晶片的背面覆蓋金屬膜；和

環(huán)狀增強(qiáng)部除去工序，在上述金屬膜覆蓋工序后，除去上述環(huán)狀增強(qiáng)部，

其特征在于，

在上述環(huán)狀增強(qiáng)部除去工序中，

使用了磨削裝置，該磨削裝置至少具有：卡盤工作臺，其可旋轉(zhuǎn)，并且具有保持晶片的保持面；磨削構(gòu)件，其磨削輪構(gòu)成為可旋轉(zhuǎn)，在該磨削輪上呈環(huán)狀地配置有對保持在上述卡盤工作臺上的晶片進(jìn)行磨削的磨削磨石；以及磨削進(jìn)給構(gòu)件，其相對于上述保持面在垂直方向上對上述磨削構(gòu)件進(jìn)行磨削進(jìn)給，

將上述晶片的表面?zhèn)缺３衷谏鲜隹ūP工作臺上并使其旋轉(zhuǎn)，并且在使上述磨削輪旋轉(zhuǎn)的同時，通過利用上述磨削進(jìn)給構(gòu)件進(jìn)行磨削進(jìn)給，來以上述磨削磨石的軌跡與上述環(huán)狀增強(qiáng)部相交的方式使上述磨削磨石作用在上述晶片的背面上，以磨削上述環(huán)狀增強(qiáng)部，在上述環(huán)狀增強(qiáng)部的磨削面到達(dá)在上述器件區(qū)域背面覆蓋的金屬膜的上表面上方的20μm～1μm的位置時，結(jié)束磨削。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，

在上述環(huán)狀增強(qiáng)部除去工序后，在將切割帶粘貼到上述晶片的背面、并且該晶片通過切割帶支撐在切割框架上的狀態(tài)下，實施沿著上述間隔道將該晶片分割成一個個器件的分割工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片的加工方法，其特征在于，

上述切割帶的厚度為80μm～100μm。