[發明專利]半導體存儲器裝置及其控制方法

無效

• 申請號: 200810090576.6
• 申請日: 2008-04-03
• 公開（公告）號: CN101281782A
• 公開（公告）日: 2008-10-08
• 發明（設計）人: 外村寧子;片桐誠志;藤幸雄
• 申請（專利權）人: 爾必達存儲器株式會社
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;陸錦華

1.一種半導體存儲器裝置，所述裝置包括：

多個非破壞性可讀存儲單元；

連接到所述多個存儲單元的位線；

分配給所述位線的第一和第二讀出放大器，并且所述第一和第二讀出放大器包括轉換電路和放大電路，所述轉換電路將存儲在所述存儲單元中的內容轉換成電位差，所述放大電路放大所述電位差；以及

控制電路，所述控制電路使所述第二讀出放大器的所述轉換電路在由所述第一讀出放大器的所述放大電路執行的放大操作期間執行轉換操作。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，還包括共同分配給所述位線的第一和第二傳輸線，

其中所述第一傳輸線連接到所述第一讀出放大器，所述第二傳輸線連接到所述第二讀出放大器。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述的第一和第二傳輸線共同分配給多個單元陣列。

4.如權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述轉換電路包括對相應的傳輸線預充電的預充電晶體管。

5.如權利要求1到4的任一項所述的半導體存儲器裝置，其中，所述存儲單元包括可變阻抗元件，所述可變阻抗元件具有取決于所存儲數據的不同阻抗。

6.如權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，所述轉換電路包括向所選擇的所述存儲單元之一提供讀出電流的讀出晶體管。

7.如權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，所述可變阻抗元件包括相變材料。

8.如權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述控制電路包括生成具有相互不同相位的第一定時信號和第二定時信號的定時信號發生器、與所述第一定時信號同步地控制所述第一讀出放大器的第一讀出放大器控制器、以及與所述第二定時信號同步地控制所述第二讀出放大器的第二讀出放大器控制器。

9.一種半導體存儲器裝置，包括：

多條位線，所述多條位線分別連接到多個存儲單元；

共同分配給所述多條位線的第一傳輸線和第二傳輸線；

第一讀出放大器和第二讀出放大器，所述第一讀出放大器和第二讀出放大器分別連接到所述的第一和第二傳輸線；以及

控制電路，所述控制電路與具有相互不同相位的第一定時信號和第二定時信號同步地控制所述的第一和第二讀出放大器。

10.如權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一讀出放大器具有經由所述第一傳輸線供給讀出電流的電路，所述第二讀出放大器具有經由所述第二傳輸線供給讀出電流的電路。

11.一種控制半導體存儲器裝置的方法，所述半導體存儲器裝置包括：多個非破壞性可讀存儲單元；連接到所述多個存儲單元的位線；以及分配給所述位線的第一和第二讀出放大器，所述第一和第二讀出放大器包括將存儲在所述存儲單元中的內容轉換成電位差的轉換電路和放大所述電位差的放大電路，所述方法包括：

第一步驟，用于使用所述第一讀出放大器的所述轉換電路執行轉換操作；

第二步驟，用于使用所述第一讀出放大器的所述放大電路執行放大操作；以及

第三步驟，用于使用所述第二讀出放大器的所述轉換電路執行轉換操作，

其中所述的第二和第三步驟并行執行。

12.如權利要求11所述的控制半導體存儲器裝置的方法，還包括第四步驟，所述第四步驟用于使用所述第二放大器的所述放大電路執行放大操作，

其中所述的第一和第四步驟并行執行。