[發明專利]聚酰亞胺膜的制造方法及聚酰亞胺膜

無效

• 申請號: 200810090024.5
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN101274992A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 山口裕章;藪中津介
• 申請（專利權）人: 宇部興產株式會社
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08J7/12;C08L79/08;B32B15/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種聚酰亞胺膜的制造方法，所述方法具有在聚酰亞胺前體溶液的自身支撐性膜的單面或兩面上涂覆含有硅烷偶聯劑的溶液，再對其加熱進行酰亞胺化的工序，所述硅烷偶聯劑具有與Si原子鍵合的水解性烷氧基，所制造的聚酰亞胺膜的膜厚為7μm以上30μm以下，其特征在于，

所述含有硅烷偶聯劑的溶液實質上不含水，

所述溶液中的硅烷偶聯劑為與Si原子鍵合的烷氧基的5％以上已被水解的物質。

2.如權利要求1所述的聚酰亞胺膜的制造方法，其特征在于，所述溶液中的硅烷偶聯劑為與Si原子鍵合的烷氧基的5％～95％已被水解的物質。

3.如權利要求1所述的聚酰亞胺膜的制造方法，其特征在于，所述含有硅烷偶聯劑的溶液為通過如下方法而得的溶液，所述方法為向硅烷偶聯劑或硅烷偶聯劑的有機溶劑溶液中加入相對于烷氧基總量在5～100摩爾％的范圍內的水，使與Si原子鍵合的烷氧基水解，根據需要向其中加入有機溶劑。

4.如權利要求1所述的聚酰亞胺膜的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶聯劑含有選自氨基硅烷系偶聯劑、環氧基硅烷系偶聯劑和巰基系硅烷偶聯劑中的至少1種成分。

5.如權利要求1所述的聚酰亞胺膜的制造方法，其特征在于，所述含有硅烷偶聯劑的溶液含有酸催化劑。

6.一種聚酰亞胺膜，其特征在于，由權利要求1所述的方法制得。

7.一種覆銅聚酰亞胺膜，其特征在于，在權利要求6所述聚酰亞胺膜的于制造時涂覆了含有硅烷偶聯劑的溶液的面上層疊銅層而成。

8.如權利要求7所述的覆銅聚酰亞胺膜，其特征在于，利用粘接劑在聚酰亞胺膜上粘接銅箔而成。

9.如權利要求7所述的覆銅聚酰亞胺膜，其特征在于，通過濺射或蒸鍍在聚酰亞胺膜上形成銅層而成。

10.如權利要求8所述的覆銅聚酰亞胺膜，其特征在于，所述聚酰亞胺膜的膜厚為7μm以上30μm以下，90度剝離強度為0.7N/mm以上。

11.如權利要求9所述的覆銅聚酰亞胺膜，其特征在于，所述聚酰亞胺膜的膜厚為7μm以上30μm以下，90度剝離強度為0.7N/mm以上。