[發(fā)明專利]圖像傳感器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810089198.X | 申請(qǐng)日: | 2008-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101295728A | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪志鎬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H01L31/0224;H01L21/82;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 章社杲;尚志峰 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
本申請(qǐng)基于35U.S.C?119要求第10-2007-0039207號(hào)(于2007 年4月23日遞交)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此 作為參考。
背景技術(shù)
圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的裝置,通常可以 分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)圖像傳感器。
CCD圖像傳感器具有諸如復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)方法、高功耗、以及需要 多階段干膜制程(multi-phased?photo?processes)的復(fù)雜制造過(guò)程的 缺點(diǎn)。
由于CCD圖像傳感器的上述缺點(diǎn),CMOS圖像傳感器被認(rèn)為 是下一代圖像傳感器。CMOS圖像傳感器可以包括用于接收光信號(hào) 并將所接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電二極管區(qū)域、以及用于處 理電信號(hào)的晶體管區(qū)域。在這點(diǎn)上,CMOS圖像傳感器在一個(gè)單位 像素(unit?pixel)中可以包括光電二極管和MOS晶體管。CMOS 圖像傳感器可以通過(guò)在開關(guān)模式下使用光電二極管和MOS晶體管 順序地檢測(cè)電信號(hào)而生成圖像。
CMOS圖像傳感器中的光電二極管可以與晶體管水平排列。特 別地,光電二極管和晶體管相互水平相鄰地設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的上 面和/或之上(上方)。從而,需要用于光電二極管的額外空間或表 面區(qū)域。由于降低填充系數(shù)區(qū)域和限制分辨率的可能性,使得不希 望有額外空間或表面積的需求。另外,很難優(yōu)化在半導(dǎo)體襯底的上 面和/或之上同時(shí)形成光電二極管和晶體管的處理。
為了克服這些缺點(diǎn),引入了一種垂直集成化(integrating)晶體 管電路和光電二極管的方法。
實(shí)例圖1示出了垂直集成化型圖像傳感器,可以包括襯底110、 形成在襯底110的上面和/或之上的第一線130、形成在第一線130 的上面和/或之上的本征層150、形成在本征層150的上面和/或之上 的第二導(dǎo)電層160、以及形成在襯底110的上面和/或之上的第二線 170。此處,具有下線(lower?line)120的COM電路(未示出)可 以形成在襯底110的上面和/或之上。第一導(dǎo)電層140可以形成在第 一線(first?line)130和本征層150之間。
第一線130可以由諸如金屬、合金、以及硅化物的各種導(dǎo)電材 料組成。例如,第一線130可以由鋁、銅、以及鈷組成。第一線130 可以通過(guò)光電二極管單位像素被圖案化,或可以在第一導(dǎo)電層140 形成在第一線130的上面和/或之上后通過(guò)光電二極管單位像素被 圖案化。
第一導(dǎo)電層140可以被有選擇地形成并可以起PIN二極管的N 層的作用。具體地,第一導(dǎo)電層140可以形成為由N摻雜的非晶硅 形成的N型導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層140可以由通過(guò)向非晶硅中添加鍺、 碳、氮化物、或氧形成的Si:H、SiGe:H、SiN:H、及SiO:H組成。
本征層150可以起PIN二極管的I層的作用。N摻雜的非晶硅 可以用來(lái)形成本征層150。第二導(dǎo)電層160可以起PIN二極管的P 層的作用,特別地,作為P型導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層160可以由P摻 雜的非晶硅組成。第二線170可以起光電二極管的上電極的作用, 并可以被電連接至露出的下線120a。第二線170還可以形成為具有 高透明性和高導(dǎo)電性的透明電極。第二線170可以由氧化銦錫(ITO) 或氧化碳錫(CTO)組成。
這種垂直集成化型圖像傳感器具有很多缺點(diǎn)。例如,第二線170 起光電二極管的上電極的作用,所以是垂直集成化圖像傳感器的核 心元件。由于第二線170可以由諸如ITO的金屬材料組成,所以很 容易由于缺乏韌性而破裂或剝落。這將大大降低了使用這種垂直集 成化型圖像傳感器的產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
因此,多個(gè)實(shí)施例涉及一種具有光電二極管的上電極的圖像傳 感器,其中,該光電二極管由具有增強(qiáng)韌性的導(dǎo)電聚合材料組成。
多個(gè)實(shí)施例涉及一種使用形成在光電二極管區(qū)域的上部區(qū)域 處的導(dǎo)電且透明的聚合材料作為用于傳輸光的透明電極的圖像傳 感器。
多個(gè)實(shí)施例涉及一種包括由導(dǎo)電且透明的聚合材料而不是金 屬材料組成的透明電極的圖像傳感器。
多個(gè)實(shí)施例涉及一種可以包括在光電二極管區(qū)域的上部區(qū)域 處形成在襯底之上的用于傳輸光的電極的圖像傳感器,該電極由透 明且導(dǎo)電的聚合材料組成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





