[發明專利]圖像傳感器

無效

• 申請號: 200810089198.X
• 申請日: 2008-04-22
• 公開（公告）號: CN101295728A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 洪志鎬
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0224;H01L21/82;H01L21/28
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;尚志峰

1.一種圖像傳感器，包括：

形成在光電二極管區域的上部區域處的襯底之上用于傳 輸光的電極，其中，所述電極由透明且導電的聚合材料組成。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述電極通過旋涂 處理、化學汽相沉積(CVD)處理、以及共聚合處理中的至 少一種形成。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述透明且導電的 聚合材料是選自包括聚乙炔、聚苯胺、聚(對苯茚二銅)、聚 吡咯、聚噻吩、聚(對苯茚二銅亞乙烯基)、聚(3，4-亞乙基 二氧噻吩)、以及聚(亞噻吩基亞乙烯基)的組中的一種材料。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述電極使用減數 法和金屬鑲嵌法中的至少一種形成。

5.一種制造圖像傳感器的方法，包括：

在襯底之上形成第一線；以及然后

在所述第一線之上形成本征層；以及然后

在所述本征層之上形成導電層；以及然后

在光電二極管區域的上部區域處形成第二線作為用于傳 輸光的電極，其中，所述電極由透明且導電的聚合材料組成。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，形成所述第二線進一步包 括：對所述透明且導電的聚合材料進行圖案化。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，通過旋涂處理、化學汽相 沉積(CVD)處理、以及共聚合處理中的至少一種形成所述 透明且導電的聚合材料。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述透明且導電的聚合材 料選自包括聚乙炔、聚苯胺、聚(對苯茚二銅)、聚吡咯、聚 噻吩、聚(對苯茚二銅亞乙烯基)、聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)、 以及聚(亞噻吩基亞乙烯基)的組中的一種材料。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，使用干式蝕刻處理、濕式 蝕刻處理、以及灰化處理中的至少一種對所述透明且導電的聚 合材料進行圖案化。

10.根據權利要求5所述的方法，其中，使用減數法和金屬鑲嵌法 中的至少一種形成所述第二線。

11.一種圖像傳感器，包括：

形成在襯底之上的下線；

形成在所述第一線之上的下導電層；

形成在所述第一導電層之上的本征層；

形成在所述本征層之上形成的上導電層；以及

形成在包括所述上導電層的所述襯底之上形成的上線，

其中，所述上線由聚合材料組成。

12.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述上線包括用 于傳輸光的電極。

13.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述上線在光電 二極管區域的上部區域處形成在所述襯底之上。

14.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述上線通過旋 涂處理、化學汽相沉積(CVD)處理、以及共聚合處理中的 至少一種形成。

15.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述聚合材料是 選自包括聚乙炔、聚苯胺、聚(對苯茚二銅)、聚吡咯、聚噻 吩、聚(對苯茚二銅亞乙烯基)、聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)、 以及聚(亞噻吩基亞乙烯基)的組中的一種材料。

16.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述上線使用減 數法和金屬鑲嵌法中的至少一種形成。

17.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述聚合材料包 括透明聚合材料。

18.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述聚合材料包 括導電聚合材料。

19.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述聚合材料包 括透明且導電的聚合材料。

20.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述圖像傳感器 包括垂直集成化型圖像傳感器。