[發明專利]制造配線基板的方法、制造半導體器件的方法及配線基板無效
| 申請號: | 200810089127.X | 申請日: | 2008-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN101276761A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 小林和弘 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 顧紅霞;彭會 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 配線基板 方法 半導體器件 | ||
技術領域
本發明涉及制造配線基板的方法、制造半導體器件的方法以及配線基板,更具體地涉及制造構造為提高多層基板的電極片形成部分的可靠性的配線基板的方法,制造半導體器件的方法以及配線基板。
背景技術
例如,作為形成用于連接裸芯片和基板或者連接封裝基板和母板的BGA(球柵陣列)的球狀物的方法,已知這樣一種制造方法:在基板上形成多個電極,然后形成具有與電極連通的孔的阻焊層并通過熱處理(回流)熔化焊球,以在將焊球加裝在孔的開口上的狀態下將熔化的焊球結合在孔中的電極上,并且在阻焊層的表面上形成焊料凸點作為凸出部。
另一方面,用于在縮減尺寸和增加裸芯片中的集成度的情況下將裸芯片安裝在多層基板上的封裝件的研究已經取得進展(例如參見日本專利No.3635219(JP-A-2000-323613公開文獻))。
圖1示出了常規配線基板的結構的實例。對于圖1所示基板的結構來說,以這樣的方式層疊各個層,即:用第一絕緣層12覆蓋電極片10的外周,并用第二絕緣層13覆蓋電極片10的上表面。從電極片10的上表面的中心向上延伸的導通部14穿透第二絕緣層13并與上部的配線部16連接。電極片10具有金層17和鎳層18層疊在一起的結構,并以這樣的方式來設置,即:金層17的表面從第一絕緣層12露出并且導通部14與鎳層18連接。
此外,在一些情況下,通過焊料凸點將半導體芯片安裝在電極片10上,在另一些情況下,結合有焊球或管腳。這樣,在具有多層結構的配線基板中,電極片10用作裸芯片加裝片或外部連接片。
然而,在圖1所示配線基板中,電極片10的外周比較光滑。因此,對第一絕緣層12的附著力較小。當通過回流處理進行加熱時,由于第一絕緣層12和電極片10之間的熱膨脹差異而引起的熱應力,在設置為與電極片10的外周接觸的邊界部分中產生分層,從而第一絕緣層12的一部分會斷開。
此外,在第一絕緣層12的設置為與電極片10的角部(B部分)外周接觸的部分由于通過回流處理進行的加熱而斷開的情況下,存在這樣的問題,即:從電極片10的角部(A部分)朝向第二絕緣層13產生裂紋20。
此外,在裂紋20擴大的情況下,存在這樣的可能性,即:設置在第二絕緣層13上的配線部16會被截斷。
發明內容
因此,考慮到上述情況,本發明的目的在于提供可以解決上述問題的制造配線基板的方法、制造半導體器件的方法及配線基板。
為了解決上述問題,本發明具有下列手段。
根據本發明的第一方面,提供一種制造配線基板的方法,該方法包括以下步驟:
第一步驟,在支撐基板上形成第一電極片;
第二步驟,在所述支撐基板的表面上層疊第一絕緣層,所述第一絕緣層包圍所述第一電極片的外周;
第三步驟,在所述第一電極片的表面和所述第一絕緣層的表面上形成第二電極片,所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片的外周更寬;
第四步驟,在所述第二電極片和所述第一絕緣層的表面上層疊第二絕緣層;
第五步驟,在所述第二絕緣層的表面上形成配線層,所述配線層與所述第二電極片電連接;以及
第六步驟,去除所述支撐基板以露出所述第一電極片。這樣可以解決上述問題。
根據本發明的第二方面,提供根據第一方面的方法,其中,
所述第二步驟包括這樣的步驟:在層疊所述第一絕緣層之前粗糙化所述第一電極片的表面。這樣可以解決上述問題。
根據本發明的第三方面,提供一種根據第一或第二方面的方法,其中,
所述支撐基板由金屬形成,
所述第一步驟包括這樣的步驟:在所述支撐基板和所述第一電極片之間形成與所述支撐基板類型相同的金屬層,并且
所述第六步驟包括這樣的步驟:去除所述支撐基板,去除所述金屬層以及利用所述第一電極片的端面形成凹部。這樣可以解決上述問題。
根據本發明的第四方面,提供一種使用根據本發明的第一至第三方面中的任一方面的制造配線基板的方法制造半導體器件的方法,包括以下步驟:
通過焊料凸點將半導體芯片安裝在所述第一電極片上。這樣可以解決上述問題。
根據本發明的第五方面,提供一種配線基板,該配線基板包括:
第一電極片;
第一絕緣層,其包圍所述第一電極片的外周;
第二絕緣層,其層疊在所述第一電極片和所述第一絕緣層的表面上,
其中,在所述第一電極片和所述第二絕緣層之間設置有第二電極片,所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片的外周更寬。這樣可以解決上述問題。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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