[發明專利]制造配線基板的方法、制造半導體器件的方法及配線基板

無效

• 申請號: 200810089127.X
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276761A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 小林和弘
• 申請（專利權）人: 新光電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧紅霞;彭會

1.一種制造配線基板的方法，包括以下步驟：

第一步驟，在支撐基板上形成第一電極片；

第二步驟，在所述支撐基板的表面上層疊第一絕緣層，所述第一絕緣層包圍所述第一電極片的外周；

第三步驟，在所述第一電極片的表面和所述第一絕緣層的表面上形成第二電極片，所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片的外周更寬；

第四步驟，在所述第二電極片和所述第一絕緣層的表面上層疊第二絕緣層；

第五步驟，在所述第二絕緣層的表面上形成配線層，所述配線層與所述第二電極片電連接；以及

第六步驟，去除所述支撐基板以露出所述第一電極片。

2.根據權利要求1所述的制造配線基板的方法，其中，

所述第二步驟包括這樣的步驟：在層疊所述第一絕緣層之前粗糙化所述第一電極片的表面。

3.根據權利要求1所述的制造配線基板的方法，其中，

所述支撐基板由金屬形成，

所述第一步驟包括這樣的步驟：在所述支撐基板和所述第一電極片之間形成與所述支撐基板類型相同的金屬層，并且

所述第六步驟包括這樣的步驟：去除所述支撐基板，去除所述金屬層以及利用所述第一電極片的端面形成凹部。

4.一種使用根據權利要求1所述的制造配線基板的方法制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

通過焊料凸點將半導體芯片安裝在所述第一電極片上。

5.一種配線基板，包括：

第一電極片；

第一絕緣層，其包圍所述第一電極片的外周；

第二絕緣層，其層疊在所述第一電極片和所述第一絕緣層的表面上，

其中，在所述第一電極片和所述第二絕緣層之間設置有第二電極片，所述第二電極片在平面方向上比所述第一電極片的外周更寬。

6.根據權利要求1所述的制造配線基板的方法，其中，

所述第一電極片具有約70μm到100μm的直徑和約5μm到25μm的厚度，并且

所述第二電極片具有比第一電極片的直徑大大約20％到90％的直徑并具有約2μm到15μm的厚度。

7.根據權利要求5所述的配線基板，其中，

所述第一電極片具有約70μm到100μm的直徑和約5μm到25μm的厚度，并且

所述第二電極片具有比第一電極片的直徑大大約20％到90％的直徑并具有約2μm到15μm的厚度。

8.根據權利要求1所述的制造配線基板的方法，其中，

所述第一電極片具有這樣的結構，即：只層疊金層和鎳層，并且所述金層和所述鎳層層疊為使所述金層從所述配線基板的表面露出。

9.根據權利要求1所述的制造配線基板的方法，其中，

所述第一電極片具有這樣的結構，即：以使金層從所述配線基板的表面露出的方式按照金層、鈀層、鎳層和銅層的順序或者金層、鈀層和鎳層的順序進行層疊。

10.根據權利要求5所述的配線基板，其中，

所述第一電極片具有這樣的結構，即：只層疊金層和鎳層，并且所述金層和所述鎳層層疊為使所述金層從所述配線基板的表面露出。

11.根據權利要求5所述的配線基板，其中，

所述第一電極片具有這樣的結構，即：以使金層從所述配線基板的表面露出的方式按照金層、鈀層、鎳層和銅層的順序或者金層、鈀層和鎳層的順序進行層疊。

12.根據權利要求2所述的制造配線基板的方法，其中，

通過粗糙化處理而獲得的表面粗糙度具有等于約0.25μm到0.75μm的Ra。