[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810088424.2 | 申請(qǐng)日： | 2008-03-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101546798A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林義杰;許育賓;郭政達(dá);朱瑞溢;王俊凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 | ||
1.一半導(dǎo)體元件，包含
基板；
緩沖層，形成于該基板之上；以及
外延疊層，形成于該緩沖層之上，
其中該緩沖層于至少一反應(yīng)氣體通入時(shí)的形成溫度隨時(shí)間而逐漸下降。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該形成溫度隨時(shí)間從1000℃降低至600℃。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該形成溫度的最高溫度與最低溫度間的差異至少大于100℃。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該形成溫度為連續(xù)性降溫過程。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該緩沖層為單層結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含鋁原子層，形成于該基板與該緩沖層之間。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含未摻雜半導(dǎo)體層，形成于該緩沖層與該外延疊層之間，其中該未摻雜半導(dǎo)體層是由未摻雜的氮化鎵層所形成。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該緩沖層是由氮化鋁、氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化銦鋁、氮化銦鎵鋁材料，至少擇一形成。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含第一未摻雜半導(dǎo)體層，形成于該緩沖層與該外延疊層之間，以及第二未摻雜半導(dǎo)體層，形成于該基板與該緩沖層之間。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，還包含另一緩沖層，形成于該基板與該第一未摻雜半導(dǎo)體層之間，且該另一緩沖層于至少一反應(yīng)氣體通入時(shí)的形成溫度隨時(shí)間而變化。
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