[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200810088351.7
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101308853A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 棚田好文
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

1.一種半導體裝置，包括：

設置在具有絕緣表面的襯底上的第一電路群、第二電路群、以及第三電路群；

所述第一電路群包括：

具有第一單晶半導體層和第一柵極絕緣層的第一晶體管；

所述第二電路群包括：

具有第二單晶半導體層和第二柵極絕緣層的第二晶體管；

所述第三電路群包括：

具有非晶半導體層或多晶半導體層、以及第三柵極絕緣層的第三晶體管，

其中所述第一單晶半導體層和所述第二單晶半導體層的每一個隔著絕緣層設置在所述襯底上，

并且所述第一單晶半導體層薄于所述第二單晶半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一柵極絕緣層薄于所述第二柵極絕緣層。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述第一電路群包括顯示裝置的數據驅動器、邏輯電路、以及只讀存儲器電路中的至少一種，

并且所述第二電路群包括所述顯示裝置的掃描驅動器、電源電路、以及以電方式寫入/改寫的存儲電路，

并且所述第三電路群包括所述顯示裝置的像素部。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中設置在所述襯底的表面和所述第一單晶半導體層之間的所述絕緣層厚于設置在所述襯底的所述表面和所述第二單晶半導體層之間的所述絕緣層。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括在所述襯底的表面和所述第一單晶半導體層之間的基底膜。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣層包含通過化學氣相生長法使用有機硅烷氣體形成的氧化硅。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述襯底包含透光性的材料。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置是便攜式信息終端。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置是影像拍攝裝置、電話機、電視機、計算機、以及IC標簽。

10.一種半導體裝置，包括：

設置在具有絕緣表面的襯底上的第一電路群、第二電路群、以及第三電路群；

所述第一電路群包括：

具有第一單晶半導體層和第一柵極絕緣層的第一晶體管；

所述第二電路群包括：

具有包含輕摻雜漏區的第二單晶半導體層、第二柵極絕緣層以及柵電極的第二晶體管；

所述第三電路群包括：

具有非晶半導體層或多晶半導體層、以及第三柵極絕緣層的第三晶體管，

其中所述第一單晶半導體層和所述第二單晶半導體層的每一個隔著絕緣層設置在所述襯底上，

并且所述第一單晶半導體層薄于所述第二單晶半導體層。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述第一柵極絕緣層薄于所述第二柵極絕緣層。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，

其中所述第一電路群包括顯示裝置的數據驅動器、邏輯電路、以及只讀存儲器電路中的至少一種，

并且所述第二電路群包括所述顯示裝置的掃描驅動器、電源電路、以及以電方式寫入/改寫的存儲電路，

并且所述第三電路群包括所述顯示裝置的像素部。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中設置在所述襯底的表面和所述第一單晶半導體層之間的所述絕緣層厚于設置在所述襯底的所述表面和所述第二單晶半導體層之間的所述絕緣層。

14.根據權利要求10所述的半導體裝置，還包括在所述襯底的表面和所述第一單晶半導體層之間的基底膜。

15.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述絕緣層包含通過化學氣相生長法使用有機硅烷氣體形成的氧化硅。

16.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述襯底包含透光性的材料。

17.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置是便攜式信息終端。

18.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置是影像拍攝裝置、電話機、電視機、計算機、以及IC標簽。