[發明專利]應用于有機基板的帶通濾波器有效
| 申請號: | 200810088325.4 | 申請日: | 2008-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101252345A | 公開(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發明(設計)人: | 李寶男;邱基綜 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H03H7/01 | 分類號: | H03H7/01 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 臺灣省高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 有機 帶通濾波器 | ||
技術領域
本發明是關于一種帶通濾波器,詳言之,是關于一種應用于有機基板的帶通濾波器。
背景技術
參考圖1,其顯示習知T型帶通濾波器的電路示意圖。該習知T型帶通濾波器10包括一第一電感11、一第二電感12、一第三電感13、一第一電容14及一第二電容15。目前習知內埋式帶通濾波器技術主要采用低溫共燒陶瓷(Low?Temperature?Cofired?Ceramic,LTCC)基板,主要的原因在于LTCC基板具有多層布局及相當薄的介電層結構,所以能產生的電容值范圍大,因此,廣泛被運用于帶通濾波器設計中。習知內埋式帶通濾波器多采用兩并聯的諧振器以一電容器耦合的。然而運用于目前系統級封裝單體(System?in?Package,SIP)的封裝技術中,LTCC有兩項難以突破的瓶頸,一為制作及開發成本仍然遠大于傳統有機基板技術;另外,因為制程限制,其線路密度無法滿足SIP的高密度布線需求。目前市場上的主流封裝基板技術為有機基板,除制程技術成熟度高,成本低以外,目前高密度的布線能力也足以滿足微型化的SIP設計需求。
但是,有機封裝基板在實現多層板架構及薄介電層的制程上仍然有其限制,鑒于內埋電容值的范圍與面積考慮,利用Pi型電路設計的帶通濾波器將使面積過大及實用性嚴重受限。因此在有機基板上,采用不同于Pi型電路設計方式,但在制程變異上仍難以控制。另外,有部分公司開始發展內埋高介電系數材料于有機基板中,以提供足夠電容值供電路設計使用,目前已有量產化的商品出現。然而,內埋高介電系數材料制程仍受限于開發成本及材料特性,所以仍然無法廣泛被運用。
因此,有必要提供一種創新且具有進步性的應用于有機基板的帶通濾波器,以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種應用于有機基板的帶通濾波器,其包括:數個有機基板層及數個電路層。所述電路層與所述有機基板層間隔設置,所述電路層包括第一電感線路、第二電感線路、第三電感線路及數個金屬片,所述金屬片與所述有機基板層形成第一電容、第二電容及第三電容,該第一電容及該第一電感線路產生第一寄生電容;該第二電容及該第二電感線路產生第二寄生電容,上述的電容及電感形成帶通濾波器。
本發明帶通濾波器的所述電容值非常小,可應用于有機基板內,以節省成本。該第一寄生電容及該第二寄生電容可提升該濾波器電路設計的自由度,且該第一寄生電容及該第二寄生電容利用寄生效應,不需增加額外面積,以有效地降低本發明帶通濾波器的面積。另外,本發明帶通濾波器利用組件間的耦合以造成額外的低頻及高頻傳輸零點,增加本發明帶通濾波器的禁帶衰減率。
附圖說明
圖1為習知T型帶通濾波器的電路示意圖;
圖2為本發明帶通濾波器的電路示意圖;
圖3為本發明應用于有機基板的帶通濾波器的結構示意圖;
圖4為本發明帶通濾波器的實際電路仿真及電磁軟件仿真的折返損耗曲線圖;及
圖5為本發明帶通濾波器的實際電路仿真及電磁軟件仿真的插入損耗曲線圖。
具體實施方式
請參閱圖2,其顯示本發明的帶通濾波器的電路圖。本發明的帶通濾波器20包括:一第一電感21、一第二電感22、一第三電感23、一第一電容24、一第二電容25、一第三電容26、一第一寄生電容27及一第二寄生電容28。該第一電感21、該第二電感22、該第三電感23、該第一電容24及該第二電容25為一習知T型帶通濾波器(參考圖1)。本發明的帶通濾波器20另包括該第三電容26、該第一寄生電容27及該第二寄生電容28。
參考圖3,其顯示本發明應用于有機基板的帶通濾波器的結構示意圖。本發明應用于有機基板的帶通濾波器30包括:數個有機基板層31、32、33及數個電路層41、42、43、44。所述電路層41、42、43、44與所述有機基板層31、32、33間隔設置。
在本實施例中,所述有機基板層包括一第一有機基板層31、一第二有機基板層32及一第三有機基板層33。所述電路層包括一第一電路層41、一第二電路層42、一第三電路層43及一第四電路層44。其中,該第一電路層41形成于該第一有機基板層31上,該第二電路層42形成于該第一有機基板層31及該第二有機基板層32之間,該第三電路層43形成于該第二有機基板層32及該第三有機基板層33之間,該第四電路層44形成于該第三有機基板層33下。
該第一電路層41包括:一第一電感線路411、一第二電感線路412、一第三電感線路413、一第一金屬片414及一第二金屬片415。該第一金屬片414、該第二金屬片415及該第三電感線路413電性連接。
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