[發(fā)明專利]混入磁性體粉末的半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810088198.8
• 申請日: 2008-02-13
• 公開（公告）號: CN101320726A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 青木由隆
• 申請（專利權(quán)）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L27/04;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/56;H01L21/822
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陳建全

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種混入磁性體粉末的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

在特開2004-342876號公報(圖6)中，公開了一種被稱為CSP(chip size?package，芯片尺寸組裝)的半導(dǎo)體裝置，其在半導(dǎo)體基板上設(shè)置多 個布線，在布線的連接墊塊部上表面上設(shè)置有柱狀電極，在包括布線的 半導(dǎo)體基板上將由環(huán)氧類樹脂等形成的密封膜設(shè)置為其上表面與柱狀電 極的上表面在同一個面上，并在柱狀電極的上表面上設(shè)置有焊料球。

然而，在特開2004-342876號公報(圖6)中，通過由環(huán)氧類樹脂 等形成的密封膜，能夠保護半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)让馐軄碜杂谕獠繗夥? 的污染和破損，但存在的問題是：不能抑制從半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)鹊? 外部、或者與其相反地從外部到半導(dǎo)體基板上表面?zhèn)鹊母蓴_電磁輻射噪 音。

另外，在特許第3540729號公報中，公開了在CSP(chip?size?package， 芯片尺寸組裝)中具有螺旋形狀的薄膜電感元件。

但是，在特許第3540729號公報中，因為在保護膜的上表面上設(shè)置 了螺旋形狀的薄膜電感元件，所以存在的問題是：在半導(dǎo)體基板中產(chǎn)生 的渦流的作用下，在薄膜電感元件中產(chǎn)生渦流損耗，從而使薄膜電感元 件的特性劣化(Q值減少)。

發(fā)明內(nèi)容

于是，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制從半導(dǎo)體基板上表面?zhèn)? 的集成電路到外部、或者與其相反地從外部到半導(dǎo)體基板上表面?zhèn)鹊募? 成電路的干擾電磁輻射噪音的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

另外，本發(fā)明的目的還在于：在半導(dǎo)體基板上具有薄膜電感元件的 半導(dǎo)體裝置中，降低由半導(dǎo)體基板中產(chǎn)生的渦流所引起的薄膜電感元件 的渦流損耗。

根據(jù)本發(fā)明，因為由在樹脂中混入了磁性體粉末的材料形成密封膜， 所以借助于密封膜中的磁性體粉末，能夠抑制從半導(dǎo)體基板上表面?zhèn)鹊? 集成電路到外部、或者與其相反地從外部到半導(dǎo)體基板上表面?zhèn)鹊募? 電路的干擾電磁輻射噪音。另外，通過在包括螺旋形狀薄膜電感元件的 被稱為CSP的半導(dǎo)體裝置中，在半導(dǎo)體基板和薄膜電感元件之間設(shè)置由 在樹脂中混入了磁性體粉末的材料所形成的磁性膜，能夠降低由半導(dǎo)體 基板中產(chǎn)生的渦流所引起的薄膜電感元件的渦流損耗。

附圖說明

圖1是作為本發(fā)明第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖2是制造圖1中示出的半導(dǎo)體裝置時最初準(zhǔn)備的組件的剖面圖。

圖3是接著圖2的工序的剖面圖。

圖4是接著圖3的工序的剖面圖。

圖5是接著圖4的工序的剖面圖。

圖6是接著圖5的工序的剖面圖。

圖7是接著圖6的工序的剖面圖。

圖8是接著圖7的工序的剖面圖。

圖9是接著圖8的工序的剖面圖。

圖10是作為本發(fā)明第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖11(A)是作為本發(fā)明第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的 透視平面圖，圖11(B)是沿其B-B線的剖面圖。

圖12是在圖11中示出的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個例子中，最 初準(zhǔn)備的組件的剖面圖。

圖13是接著圖12的工序的剖面圖。

圖14是接著圖13的工序的剖面圖。

圖15是接著圖14的工序的剖面圖。

圖16是接著圖15的工序的剖面圖。

圖17是接著圖16的工序的剖面圖。

圖18是接著圖17的工序的剖面圖。

圖19是接著圖18的工序的剖面圖。

圖20是接著圖19的工序的剖面圖。

圖21是接著圖20的工序的剖面圖。

圖22(A)是作為本發(fā)明第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的 透視平面圖，圖22(B)是沿其B-B線的剖面圖。

圖23是作為本發(fā)明第3實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖面 圖。

圖24是作為本發(fā)明第4實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖面 圖。

圖25是作為本發(fā)明第5實施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的剖面 圖。

具體實施方式

(第1實施方式)