[發明專利]混入磁性體粉末的半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200810088198.8
• 申請日: 2008-02-13
• 公開（公告）號: CN101320726A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發明（設計）人: 青木由隆
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L27/04;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/56;H01L21/822
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳建全

1.一種半導體裝置，包括：具有多個連接墊塊的半導體基板； 在所述半導體基板上設置的集成電路；在除了所述多個連接墊塊以外 的所述半導體基板上設置的絕緣膜；設置為經由所述連接墊塊與所述 集成電路電連接的多個布線；在所述布線的連接墊塊部上設置的柱狀 電極；覆蓋所述集成電路的上表面，并且在所述柱狀電極的周圍設置 的密封膜；其特征在于：所述絕緣膜或者所述密封膜中的至少一個包 含樹脂和混入到所述樹脂中的磁性體粉末。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述布線 設置于在所述半導體基板上設置的絕緣膜上，所述絕緣膜由在樹脂中 混入了磁性體粉末的材料形成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述磁性 體粉末包含NiCuZn、FeCoBN、CoHfTaPd中的任何一種軟磁性體粉 末。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：在所述柱 狀電極上設置有焊料球。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：在所述絕 緣膜中混入有磁性體粉末。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：在所述絕 緣膜上形成有薄膜電感元件。

7.一種半導體裝置，包括半導體基板、以及在該半導體基板上 的同一個層上設置的多個布線和螺旋形狀的薄膜電感元件，其特征在 于：至少在所述薄膜電感元件之下的所述半導體基板上設置有磁性 膜；

在所述布線的連接墊塊部上設置有柱狀電極；

在所述柱狀電極的周圍設置有密封膜；

所述磁性膜或者所述密封膜中的至少一個包含樹脂和混入到所 述樹脂中的磁性體粉末。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：在所述磁 性膜之下的所述半導體基板上設置有薄膜電感元件用布線，所述薄膜 電感元件的內端部經由在所述磁性膜中設置的開口部與所述薄膜電 感元件用布線的連接墊塊部連接。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：所述磁性 膜設置在所述半導體基板上的整個表面上，由在樹脂中混入了磁性體 粉末的材料形成。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：所述布線 和所述薄膜電感元件由相同的材料形成。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：在所述布 線和所述薄膜電感元件與所述磁性膜之間設置有由樹脂形成的絕緣 膜。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：所述磁性 膜由在所述薄膜電感元件之下的所述半導體基板上設置的磁性片形 成，在除了所述磁性片的配置區域的所述半導體基板上設置有由樹脂 形成的絕緣膜。

13.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：所述磁性 膜由在所述薄膜電感元件之下的所述半導體基板上成膜的磁性體膜 形成，在除了所述磁性體膜的配置區域以外的所述半導體基板上設置 有由樹脂形成的絕緣膜。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于：在所述 布線和所述薄膜電感元件與所述磁性膜和所述絕緣膜之間設置有由 樹脂形成的上層絕緣膜。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于：所述絕 緣膜和所述上層絕緣膜由相同的材料同時形成。

16.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：在所述柱 狀電極上設置有焊料球。