[發明專利]半導體器件及其微調方法

無效

• 申請號: 200810088175.7
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101252128A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 上村啟介
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L23/525;H01L23/544;H01L21/00;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;劉宗杰

技術領域

本發明涉及一種具有高精確度的半導體器件以及一種構成制造該半導體器件的方法的一部分的微調方法。

背景技術

為了提高半導體器件的特征值的精確度，采用了一種被稱為微調的方法，其通過切斷熔絲以改變電阻器之間的分割比以便調節特征值，在該方法中特征值是獨立測量的，并且在半導體襯底上形成的熔絲基于測量值通過用激光束燃燒而被切斷。通常，分割電阻器(divisional?resistor)每個都具有給定的尺寸，即，給定的電阻，在具有例如相同尺寸的電阻器具有相同的電阻的前提下準許進行微調。

參照圖4對該方法進行描述。圖4示意性地示出了包括分割電阻器101和比較器104的電壓檢測電路。在進行微調之前，因為所有的熔絲102是連接的，所以熔絲的上部電位和下部電位是相等的。在這種情況下，輸入105的電壓直接施加到比較器104的陽極端。因此，當輸入105的電壓等于參考電壓電路103處的電壓時，輸出106處的電壓被反轉。

接下來，參照圖5描述微調之后的操作。切斷熔絲107的上端和下端通過分割電阻器而連接。在這種情況下，由電阻器分開的輸入105的電壓被施加到比較器104的陽極端。如果與切斷熔絲107平行布置的分割電阻器的電阻等于原來存在的電阻器的電阻，那么在輸入105處的電壓正好被分成兩半。因此，當在參考電壓電路103處的電壓平衡于輸入105處電壓的一半電壓，即，當輸入105處的電壓達到參考電壓電路103的電壓的兩倍時，輸出106處的電壓被反轉。

在這種方式中，通過使用分割電阻器和與分割電阻器平行布置的熔絲，由電阻器決定的分割比通過激光微調而變化，由此用于精細調整半導體器件的特征值的電路能夠被實現(參見JPH9-260591A)。

在只要分割電阻器具有相同的尺寸則每個分割電阻器就具有恒定的電阻值的前提下通過微調來調整分割電阻器之間的分割比調節特征值。然而，依賴于制造電阻器的實際方法，例如，多晶硅電阻器，即使電阻器打算具備相同的尺寸，即相同的電阻，電阻也可能變化。這似乎是由于在蝕刻工藝中產生的線寬不同、雜質濃度分布的差異、激活程度的差異等而發生的。隨著小型化進一步發展，電阻的偏移可能變得相當大。

通常，相鄰電阻器之間的差異相對于電阻的百分比或比率被稱作相對精確度，其被用作分割電阻器中精確度的指標。

根據上面提及的原因，組成電路的分割電阻器的相對精確度的退化導致不能滿足所需的精確度。特別地，當按照小型化生產小尺寸的分割電阻器時，相對精確度趨向于退化得更多。而且，在晶片內的分割電阻器的相對精確度趨向于具有在晶片平面內的分布，其產生相對精確度依賴于分割電阻器在晶片內的位置而變化這樣的現象。由于這種現象，出現了其中可以滿意地調整特征值的區域以及其中不能滿意地調整特征值的區域，借此在一些情況下形成某個失敗的圖案。

發明內容

為了解決上面提及的問題，本發明提供了一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：在半導體器件的內部或者外部位置處制造用于測量相對精確度的分割電阻器；測量所制造的分割電阻器的相對精確度；以及基于該相對精確度和產品的特征值，調整具有高精確度的產品的特征值。

根據本發明，可以比常規情況更精確地調整半導體器件的特征值，并且可以實現具有更高精確度的半導體器件。

附圖說明

在附圖中：

圖1是示出按照本發明的第一實施例的半導體器件的示意圖；

圖2是示出按照本發明的第二實施例的半導體器件的示意圖；

圖3是示出按照本發明的第三實施例的半導體器件的示意圖；

圖4是示出在進行微調之前的狀態的示意圖；以及

圖5是示出在進行微調之后的狀態的示意圖。

具體實施方式

在下文中，將參照圖1到3描述本發明的實施例。

第一實施例

圖1是示出按照本發明的第一實施例的半導體器件的分割電阻器部分的示意圖。

半導體器件201包括具有熔絲的分割電阻器202以及布置在相同電路內以便彼此相鄰的用于測量相對精確度的分割電阻器203。每個用于測量相對精確度的分割電阻器203形成為具有與具有熔絲的每個分割電阻器202的電阻值相等的電阻值。換句話說，每個用于測量相對精確度的分割電阻器203通過從每個分割電阻器202除去熔絲而獲得。