[發明專利]半導體器件及其微調方法

無效

• 申請號: 200810088175.7
• 申請日: 2008-02-21
• 公開（公告）號: CN101252128A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 上村啟介
• 申請（專利權）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L23/525;H01L23/544;H01L21/00;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;劉宗杰

1.一種半導體器件，包括

電阻器電路，該電阻器電路包括：

具有熔絲的第一分割電阻器；以及

用于測量相對精確度的第二分割電阻器，其被設計為與第一分割電阻器具有相同的電阻并且沒有熔絲，其中：

基于測量的第二分割電阻器的特征值，計算出該熔絲的微調數據；以及

基于微調數據，微調第一分割電阻器。

2.根據權利要求1的半導體器件，其中具有熔絲的第一分割電阻器以及用于測量相對精確度的第二分割電阻器被布置為彼此鄰近。

3.根據權利要求1或2的半導體器件，其中：

具有熔絲的第一分割電阻器被布置在半導體器件的元件區域內；以及

用于測量相對精確度的第二分割電阻器被布置在該元件區域外的區域中。

4.根據權利要求3的半導體器件，其中布置用于測量相對精確度的第二分割電阻器的區域在劃線區域中。

5.根據權利要求3的半導體器件，其中布置用于測量相對精確度的第二分割電阻器的區域在另一個相鄰的半導體器件中。

6.根據權利要求3的半導體器件，其中布置用于測量相對精確度的第二分割電阻器的區域在半導體器件外形成的測試元件組中。

7.一種用于半導體器件的電阻器電路的微調方法，該電阻器電路包括：具有熔絲的第一分割電阻器；以及用于測量相對精確度的沒有熔絲的第二分割電阻器，該微調方法包括以下步驟：

測量用于測量相對精確度的第二分割電阻器的特征值；

獲得相對精確度；

基于該相對精確度計算熔絲的微調數據；以及

基于該微調數據，微調具有熔絲的第一分割電阻器。