[發(fā)明專利]薄膜蝕刻方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810088090.9
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN101552181A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王培章
• 申請（專利權(quán)）人: 光聯(lián)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;G03F7/00
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜圖形化的方法，尤指一種應(yīng)用于薄膜的蝕刻方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的薄膜蝕刻制程，大致區(qū)分為干式蝕刻與濕式蝕刻兩種方式。其中干式蝕刻方法包括激光蝕刻(Laser?Etching)與蝕刻膏印刷(Printing?Etch?Paste)。激光蝕刻技術(shù)是直接以激光光直接蝕刻薄膜，去除不要的薄膜，形成所需要的薄膜圖形。而蝕刻膏印刷是在薄膜上方以印刷方式形成蝕刻膏于薄膜上方，再通過加熱使蝕刻膏帶走欲去除的部分薄膜，形成所需要的薄膜圖形。

濕式蝕刻的方法是先在薄膜上形成一光阻圖案層，該光阻圖案層可以直接印刷形成，或通過黃光與蝕刻制程進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移，然后在沒有被光阻層覆蓋保護(hù)的部分，利用化學(xué)溶液與薄膜產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，用以除去此處的薄膜，以完成薄膜層的圖案。濕式蝕刻制程的優(yōu)點(diǎn)在于速度快，制程單純，缺點(diǎn)為有廢液問題及化學(xué)成分殘留于產(chǎn)品上影響質(zhì)量。

基本上來說，前述干式蝕刻方式的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)成本、設(shè)備投資費(fèi)用、對環(huán)境的沖擊等，比前述濕式蝕刻方式來的低，但是就薄膜蝕刻線的精細(xì)度來說，濕式制程明顯比干式制程要精確很多。

因此，研究出一種蝕刻方法，應(yīng)用在薄膜蝕刻上，其能夠同時(shí)具有干式蝕刻低投資、低生產(chǎn)成本與較低環(huán)境沖擊，同時(shí)可以達(dá)到濕式蝕刻高蝕刻精細(xì)度的優(yōu)點(diǎn)，及不會(huì)殘留化學(xué)成分于產(chǎn)品上，是相關(guān)業(yè)者的努力方向。

發(fā)明內(nèi)容

于是，為同時(shí)達(dá)到低投資、低生產(chǎn)成本、較低環(huán)境沖擊與高蝕刻精細(xì)度等目的，本發(fā)明提供一種薄膜蝕刻方法，由于制程式中不使用酸液蝕刻，所以設(shè)備與制造成本比濕式蝕刻低；且采光罩曝光方式形成圖案，因此蝕刻的精準(zhǔn)度比干式蝕刻好，而與濕式制成相當(dāng)。

基于上述目的，本發(fā)明提出一種薄膜蝕刻方法，其至少包括以下步驟：提供基板，且在該基板上均勻涂布光學(xué)樹脂層；利用紫外光透過光罩對該光學(xué)樹脂層進(jìn)行曝光；通過烘烤程序，利用適當(dāng)?shù)母邷厥贡蛔贤夤庹丈溥^的部分光學(xué)樹脂層氣化，而未曝光的部分則留下來，使該光學(xué)樹脂層的被氣化處構(gòu)成所需要的圖形；接著于該基板表面形成薄膜，該薄膜填補(bǔ)于前述該光學(xué)樹脂層被氣化處與該光學(xué)樹脂層表面；接著再利用紫外光對該光學(xué)樹脂層進(jìn)行全面曝光，也再通過烘烤程序，利用適當(dāng)?shù)母邷厥乖摶迳细街脑摴鈱W(xué)樹脂層全部氣化，同時(shí)帶走附于該光學(xué)樹脂層表面的薄膜，最后該薄膜留下需要的圖形。

其中，該薄膜是由蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)、電子束蒸鍍(Electron?Beam?Evaporation)、化學(xué)氣相沉積(ChemicalVapor?Deposition，CVD)與電漿加強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced?CVD)其中的一種方式所形成。

其中，在利用紫外光對該光學(xué)樹脂層進(jìn)行全面曝光的制程上，當(dāng)該薄膜是可透光薄膜時(shí)，紫外光可位于該薄膜上方，穿透過該薄膜對該光學(xué)樹脂層進(jìn)行全面曝光。而當(dāng)該基板是可透光基板時(shí)，紫外光亦可位于該基板下方，穿透過該基板對該光學(xué)樹脂層進(jìn)行全面曝光。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，在基板上形成薄膜的圖形或線路的制程上，由于制程中不使用酸液蝕刻，所以設(shè)備與制造成本將比已知的濕式蝕刻低；而且圖形的形成是采光罩曝光方式，因此在圖形線條的精準(zhǔn)度上比已知的干式蝕刻好，與濕式制成相當(dāng)。綜合言之，本發(fā)明技術(shù)的特點(diǎn)是在形成薄膜的圖形制程上，同時(shí)具有濕式與干式蝕刻的優(yōu)點(diǎn)，且不會(huì)殘留化學(xué)成分于產(chǎn)品上，確保產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說明

圖1為本案實(shí)施例的基板上均勻涂布一光學(xué)樹脂層的示意圖。

圖2為本案實(shí)施例透過光罩對該光學(xué)樹脂層進(jìn)行曝光的示意圖。

圖3為本案實(shí)施例通過烘烤程序留下光學(xué)樹脂層未曝光部分的示意圖。

圖4為本案實(shí)施例對基板進(jìn)行濺鍍形成薄膜的示意圖。

圖5為本案實(shí)施例再利用紫外光對光學(xué)樹脂層進(jìn)行全面曝光的示意圖。

圖6為本案實(shí)施例再通過烘烤程序使光學(xué)樹脂層氣化，且留下形成所需要的薄膜圖形的示意圖。

圖7為本案實(shí)施例再利用紫外光對光學(xué)樹脂層進(jìn)行全面曝光的另一示意圖。

具體實(shí)施方式

有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)內(nèi)容及技術(shù)說明，現(xiàn)以實(shí)施例來作進(jìn)一步說明，但應(yīng)了解的是，該等實(shí)施例僅為例示說明之用，而不應(yīng)被解釋為本發(fā)明實(shí)施的限制。

請參閱圖1至圖6，本發(fā)明是一種應(yīng)用于對薄膜的蝕刻方法。本發(fā)明在實(shí)施上至少包括下列程序：先提供一基板100，且在該基板100上均勻涂布一光學(xué)樹脂層110(如圖1所示)。利用紫外光300透過一光罩200，利用該光罩200的可透光部分，使紫外光300對該光學(xué)樹脂層110進(jìn)行曝光(如圖2所示)。