[發(fā)明專利]薄膜蝕刻方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810088090.9 | 申請日： | 2008-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN101552181A | 公開（公告）日： | 2009-10-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王培章 | 申請（專利權(quán)）人： | 光聯(lián)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 章社杲;吳貴明 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 蝕刻 方法 | ||
1.一種薄膜蝕刻方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
提供基板(100)，且在所述基板(100)上均勻涂布光學(xué)樹脂層(110)；
利用紫外光(300)透過光罩(200)對所述光學(xué)樹脂層(110)進(jìn)行曝光；
通過烘烤程序使所述光學(xué)樹脂層(110)被紫外光(300)照射到的部分氣化，未曝光的部分則留下來；
接著于所述基板(100)的表面形成薄膜(120)，所述薄膜(120)填補于前述光學(xué)樹脂層(110)被氣化處及所述光學(xué)樹脂層(110)的表面；
接著再利用紫外光(300)對所述光學(xué)樹脂層(110)進(jìn)行全面曝光；以及
再通過烘烤程序使所述基板(100)上附著的所述光學(xué)樹脂層(110)氣化，同時帶走附于所述光學(xué)樹脂層(110)表面的薄膜(120)，最后所述薄膜(120)留下需要的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述薄膜(120)是由蒸鍍、濺鍍、電子束蒸鍍、化學(xué)氣相沉積及電漿加強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積其中的一種方式所形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述薄膜(120)是可透光薄膜，使紫外光(300)穿透過所述薄膜(120)對所述光學(xué)樹脂層(110)進(jìn)行全面曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜蝕刻方法，其特征在于，所述基板(100)是可透光基板，使紫外光(300)穿透過所述基板(100)對所述光學(xué)樹脂層(110)進(jìn)行全面曝光。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
