[發明專利]功率因素校正電路與其電源供應裝置

有效

• 申請號: 200810087905.1
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101540546A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 夏春華;劉士豪
• 申請（專利權）人: 英業達股份有限公司
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42;H02M7/04;H02M3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳 亮

技術領域

本發明是有關于一種功率因素校正電路與其電源供應裝置，且特別是有關于一種可以降低電磁干擾(electromagnetic?interference，EMI)的功率因素校正電路與其電源供應裝置。

背景技術

在各種電子裝置的評估標準中，電磁相容性(Electromagnetic?Compatibility，EMC)是一關鍵的品質指標。電磁相容性的評估包括電磁干擾(Electromagnetic?Interference，EMI)以及抗電磁干擾(Electromagnetic?Susceptibility，EMS)。因為，現行電子裝置的信號傳輸速度愈來愈快，所以配備于電子裝置內部的電子元件所造成的電磁干擾會愈來愈嚴重，進而影響電子裝置中其他電子元件的正常運作。

一般來說，電磁干擾主要透過電源供應器傳入電路中。因此，在伺服器中，為了要通過相應的標準，則電源供應器的電磁干擾測試也是一個很關鍵的測試專案。另外，現在的電源供應器通常會配置至少一個開關元件，并通過控制此開關元件的導通與截止來產生所欲輸出的電壓。

然而，隨著開關反復的切換，電源供應器可能會造成的電磁干擾也隨之增加。雖然，現有的電源供應器利用不斷變化其內部脈寬調制(Power?Width?Modulation，PWM)信號的頻率來降低電磁干擾。但是，如何讓脈寬調制信號的頻率產生變化，并且同時保持電源輸出的穩定則是一個重要的課題。

發明內容

本發明提供一種功率因素校正電路，可以對脈寬調制信號的頻率進行調整，以達到降低電磁干擾的現象。

本發明提供一種電源供應裝置，通過調整其內部的脈寬調制信號的頻率，以降低電磁干擾的現象。

本發明提出一種功率因素校正電路，其包括升壓轉換器、第一電容、第一電阻與升壓控制單元。升壓轉換器具有輸入端、輸出端以及接地端，用以依據脈寬調制信號而將輸入端所傳送的整流電壓轉換成輸出端所傳送的校正電壓。第一電容的第一端耦接至輸入端。第一電阻的第一端耦接至第一電容的第二端，其第二端耦接至接地端。升壓控制單元耦接至第一電阻的第一端與第二端、輸入端以及輸出端，此升壓控制單元以一斜波信號為基準來產生脈寬調制信號，并依據流經第一電阻的電流、整流電壓以及校正電壓來調整脈寬調制信號的工作周期與頻率。

另外，升壓控制單元包括信號產生器與頻率控制器。信號產生器用以產生斜波信號，并依據一充電電流來調整斜波信號的斜率。頻率控制器耦接至信號產生器與輸入端，用以依據整流電壓來調整充電電流。

在本發明一實施例中，上述升壓轉換器包括電感、第一晶體管、二極管與第二電容。電感的第一端耦接至升壓轉換器的輸入端。第一晶體管的柵極端接收脈寬調制信號，其漏極端耦接至電感的第二端，其源極端耦接至升壓轉換器的接地端。二極管的陽極端耦接至第一晶體管的漏極端，其陰極端耦接至升壓轉換器的輸出端。第二電容C2的第一端耦接至二極管的陰極端，其第二端耦接至升壓轉換器的接地端。另外，上述第一晶體管為NMOS晶體管。

在本發明一實施例中，上述信號產生器包括第二電阻、第二晶體管、第三晶體管、第三電容、第四晶體管與比較器。第二電阻的第一端接收充電電流，其第二端耦接至地端。第二晶體管的發射極端接收第一電壓，其基極端與集電極端耦接至第二電阻的第一端。第三晶體管的發射極端耦接至第二晶體管的發射極端，其基極端耦接至第四晶體管的基極端。第三電容的第一端耦接至第三晶體管的集電極端，其第二端耦接至地端。第四晶體管的漏極端耦接至第三晶體管的集電極端，其源極端耦接至地端。比較器的第一輸入端耦接至第四晶體管的漏極端，其第二輸入端接收第二電壓，其輸出端耦接至第四晶體管的柵極端。

在本發明一實施例中，上述第二晶體管與第三晶體管為PNP雙極性晶體管。另外，上述第四晶體管為NMOS晶體管。

在本發明一實施例中，上述頻率控制器包括第三電阻、第五晶體管、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第四電容、第六晶體管、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第五電容C5與第十二電阻。第三電阻的第一端耦接至信號產生器，其第二端耦接至地端。第五晶體管的集電極端耦接至第三電阻的第一端。第四電阻的第一端耦接至第五晶體管的發射極端，其第二端耦接至地端。第五電阻的第一端接收整流電壓。第六電阻的第一端耦接至第五電阻的第二端。