[發(fā)明專利]功率因素校正電路與其電源供應裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810087905.1
• 申請日: 2008-03-18
• 公開（公告）號: CN101540546A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發(fā)明（設計）人: 夏春華;劉士豪
• 申請（專利權）人: 英業(yè)達股份有限公司
• 主分類號: H02M1/42
• 分類號: H02M1/42;H02M7/04;H02M3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳 亮

1.一種功率因素校正電路，包括：

一升壓轉換器，具有一輸入端、一輸出端以及一接地端，用以依據(jù)一脈寬調制信號而將該輸入端所傳送的一整流電壓轉換成該輸出端所傳送的一校正電壓；

一第一電容，其第一端耦接至該輸入端；

一第一電阻，其第一端耦接至該第一電容的第二端，其第二端耦接至該接地端；以及

一升壓控制單元，耦接至該第一電阻的第一端與第二端、該輸入端以及該輸出端，該升壓控制單元以一斜波信號為基準來產(chǎn)生該脈寬調制信號，并依據(jù)流經(jīng)該第一電阻的電流、該整流電壓以及該校正電壓來調整該脈寬調制信號的工作周期與頻率，其中該升壓控制單元包括：

一信號產(chǎn)生器，用以產(chǎn)生該斜波信號，并依據(jù)一充電電流來調整該斜波信號的斜率；以及

一頻率控制器，耦接至該信號產(chǎn)生器與該輸入端，用以依據(jù)該整流電壓來調整該充電電流。

2.如權利要求1所述的功率因素校正電路，其特征在于，該升壓轉換器包括：

一電感，其第一端耦接至該升壓轉換器的該輸入端；

一第一晶體管，其柵極端接收該脈寬調制信號，其漏極端耦接至該電感的第二端，其源極端耦接至該升壓轉換器的該接地端；

一二極管，其陽極端耦接至該第一晶體管的漏極端，其陰極端耦接至該升壓轉換器的該輸出端；以及

一第二電容，其第一端耦接至該二極管的陰極端，其第二端耦接至該升壓轉換器的該接地端。

3.如權利要求2所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第一晶體管為NMOS晶體管。

4.如權利要求1所述的功率因素校正電路，其特征在于，該信號產(chǎn)生器包括：

一第二電阻，其第一端接收該充電電流，其第二端耦接至一地端；

一第二晶體管，其發(fā)射極端接收一第一電壓，其基極端與集電極端耦接至該第二電阻的第一端；

一第三晶體管，其發(fā)射極端耦接至該第二晶體管的發(fā)射極端，其基極端耦接至該第二晶體管的基極端；

一第三電容，其第一端耦接至該第三晶體管的集電極端，其第二端耦接至該地端；

一第四晶體管，其漏極端耦接至該第三晶體管的集電極端，其源極端耦接至該地端；以及

一比較器，其第一輸入端耦接至該第四晶體管的漏極端，其第二輸入端接收一第二電壓，其輸出端耦接至該第四晶體管的柵極端。

5.如權利要求4所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第二晶體管與該第三晶體管為PNP雙極性晶體管。

6.如權利要求4所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第四晶體管為NMOS晶體管。

7.如權利要求1所述的功率因素校正電路，其特征在于，該頻率控制器包括：

一第三電阻，其第一端耦接至該信號產(chǎn)生器，其第二端耦接至一地端；

一第五晶體管，其集電極端耦接至該第三電阻的第一端；

一第四電阻，其第一端耦接至該第五晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至該地端；

一第五電阻，其第一端接收該整流電壓；

一第六電阻，其第一端耦接至該第五電阻的第二端；

一第七電阻，其第一端耦接至該第六電阻的第二端，其第二端耦接至該第五晶體管的基極端；

一第八電阻，其第一端耦接至該第七電阻的第二端，其第二端耦接至該地端；

一第四電容，其第一端耦接至該第八電阻的第一端，其第二端耦接至該地端；

一第六晶體管，其集電極端耦接至該第四電容的第一端；

一第九電阻，其第一端耦接至該第六晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至該地端；

一第十電阻，其第一端接收正比于該整流電壓的一直流電壓，其第二端耦接至該第六晶體管的基極端；

一第十一電阻，其第一端耦接至該第十電阻的第二端，其第二端耦接至地端；

一第五電容，其第一端耦接至該第十電阻的第一端，其第二端耦接至地端；以及

一第十二電阻，其第一端耦接該第五電容的第一端，其第二端耦接至地端。

8.如權利要求7所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第五晶體管與該第六晶體管為NPN雙極性晶體管。