[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810087808.2
• 申請日: 2008-03-20
• 公開（公告）號: CN101252107A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 鄭宏祥;黃志億
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所
• 代理人: 翟羽

1.一種半導體封裝結構，包含有一半導體基材，所述半導體基材具有一表面，在所述表面上具有至少一第一接墊及至少一第二接墊；其特征在于：所述半導體封裝結構還包含有：一第一保護層、一第一金屬層、一第二保護層、一第二金屬層及一第三金屬層，其中所述第一保護層覆蓋在所述半導體的表面上，且外露出所述第一接墊及所述第二接墊；所述第一金屬層形成于所述第一保護層上，且與所述第二接墊電性連接；所述第二保護層形成于所述第一金屬層上，并暴露出所述第一接墊及部分第一金屬層；所述第二金屬層形成于所述第二保護層上并電性連接所述第一接墊；以及所述第三金屬層所述形成于所述第二保護層上，并與所述第一金屬層電性連接。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：在所述第二保護層上形成有一第三保護層，所述第三保護層覆蓋所述第二保護層、所述第二金屬層及所述第三金屬層，并暴露出部分第二金屬層及部分第三金屬層。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一金屬層暴露并包圍所述第一接墊，并與所述第一接墊電性絕緣，所述第一金屬層的材料選自包含有金、銀、銅及其等的合金的族群。。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一接墊為一信號輸入及輸出端，所述第二接墊為一接地端。

5.一種半導體封裝結構的制造方法，包含如下步驟：

提供一半導體基材，所述半導體基材具有一表面，在所述表面上設有一第一接墊及一第二接墊；

其特征在于：所述半導體封裝結構的制造方法還包含有以下步驟：

在所述半導體基材的表面上形成一第一保護層，所述第一保護層覆蓋所述半導體基材的表面，并且外露所述第一接墊及所述第二接墊；

在所述第一保護層上形成一第一金屬層，所述第一金屬層與所述第二接墊電性連接；

在所述第一金屬層上形成一第二保護層，所述第二保護層暴露所述第一接墊及部分第一金屬層；

在所述第二保護層上形成一第四金屬層；以及

圖案化所述第四金屬層，以形成一第二金屬層及一第三金屬層，其中所述第二金屬層與所述第一接墊電性連接，所述第三金屬層與所述第一金屬層電性連接。

6.如權利要求5所述的半導體制造方法，其特征在于：所述方法進一步包含有一在所述第二保護層上形成一第三保護層的步驟，其中所述第三保護層覆蓋所述第二保護層、所述第二金屬層及所述第三金屬層，并暴露部分第二金屬層及部分第三金屬層。

7.如權利要求5所述的半導體制造方法，其特征在于：在形成所述第一金屬層的步驟中，所述第一金屬層暴露并包圍所述第一接墊，并與所述第一接墊電性絕緣。

8.如權利要求5所述的半導體制造方法，其特征在于：所述第一接墊為一信號輸入及輸出端，所述第二接墊為一接地端。

9.如權利要求6所述的半導體制造方法，其特征在于：所述第三金屬層為凸塊底部金屬層，所述第二金屬層為重新分布金屬層。

10.如權利要求7所述的半導體制造方法，其特征在于：所述方法進一步包含有一在暴露出的部分第二金屬層及部分第三金屬層上電性連接一焊錫凸塊的步驟。