[發明專利]基板上長條孔的成型方法與基板結構有效
| 申請號: | 200810087806.3 | 申請日: | 2008-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN101252091A | 公開(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發明(設計)人: | 張世卿;周光春;王武昌 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498;H05K3/00;H05K1/02 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 臺灣省高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板上 長條 成型 方法 板結 | ||
1.一種基板上長條孔的成型方法,包含以下步驟:
提供一基板,所述基板具有若干個金屬接墊及一預定的長條狀裁切區域,其中這些金屬接墊排列于所述長條狀裁切區域的周圍;
其特征在于:所述基板上長條孔的成型方法還包含有以下步驟:
進行一孔洞加工工藝,在所述長條狀裁切區域的兩端形成兩圓孔;以及
以沖壓加工方式在所述兩圓孔之間沖壓出一矩形孔,且所述矩形孔的兩端與所述兩圓孔部分重疊。
2.如權利要求1所述的基板上長條孔的成型方法,其特征在于:所述孔洞加工工藝是利用一銑刀進行銑削加工工藝。
3.如權利要求1所述的基板上長條孔的成型方法,其特征在于:所述孔洞加工工藝是利用一沖頭進行沖壓加工工藝。
4.如權利要求1所述的基板上長條孔的成型方法,其特征在于:所述矩形孔的寬度略小于所述圓孔的直徑。
5.如權利要求1所述的基板上長條孔的成型方法,其特征在于:在以沖壓加工方式形成所述矩形孔的步驟中,還包含:在沖壓加工的一沖頭上升時,注入高壓空氣,以壓制所述金屬接墊,避免所述金屬接墊產生剝離。
6.如權利要求1所述的基板上長條孔的成型方法,其特征在于:這些金屬接墊是以兩兩相對的方式排列成兩行。
7.一種基板結構,包含:一長條孔及若干個金屬接墊,其中這些金屬接墊排列于所述長條孔的周圍;其特征在于:所述基板結構還包含有兩圓孔區及一矩形孔區,所述的兩圓孔區位于所述長條孔的兩端;所述矩形孔區介于所述兩圓孔區之間,且所述矩形孔區的兩端與所述兩圓孔區部分重疊;所述矩形孔區的寬度略小于所述圓孔區的直徑。
8.如權利要求7所述的基板結構,其特征在于:所述金屬接墊是以兩兩相對的方式排列成兩行,且所述矩形孔區介于所述的兩行金屬接墊與所述的兩圓孔之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





