[發明專利]半導體可變電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 200810087413.2
• 申請日: 2008-03-27
• 公開（公告）號: CN101276846A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 二木俊郎
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種半導體可變電容器，包括：

電容器，其包括在半導體襯底的第一區域中形成的第一導電類型的第一阱、在該半導體襯底上方形成的絕緣膜以及在該第一阱上方形成的柵極，其中該絕緣膜插置在該第一阱與該柵極之間；以及

第二導電類型的第二阱，其形成在與該半導體襯底的第一區域相鄰的第二區域中，

該柵極具有延伸至該第二區域的端部，并且形成在該第二阱上方，其中該絕緣膜插置在該第二阱與該柵極之間。

2.如權利要求1所述的半導體可變電容器，其中

該第二阱形成在一對相鄰的所述第二區域中，并且該第一區域夾置在所述一對第二區域之間，以及

該柵極具有分別延伸至所述一對第二區域的兩端，并且形成在該第二阱上方，其中該絕緣膜插置在該第二阱與該柵極之間。

3.如權利要求1所述的半導體可變電容器，還包括：

一對第一雜質擴散區，其設置在該第一區域的半導體襯底中，夾置位于該柵極下方的該第一阱，并電連接至該第一阱；以及

第二導電類型的第二雜質擴散區，其設置在該第二區域的半導體襯底中，并電連接至該第二阱。

4.如權利要求3所述的半導體可變電容器，還包括：

器件隔離膜，其用于定義有源區、以及在各個有源區中形成的所述第一雜質擴散區以及所述第二雜質擴散區。

5.如權利要求1所述的半導體可變電容器，其中

該柵極為所述第一導電類型。

6.如權利要求1所述的半導體可變電容器，其中

該柵極為所述第二導電類型。

7.如權利要求1所述的半導體可變電容器，其中

該柵極由金屬材料形成。

8.如權利要求1所述的半導體可變電容器，其中

該第一阱或該第二阱與該半導體襯底電隔離。

9.一種半導體可變電容器，包括：

電容器，其包括在半導體襯底的第一區域中形成的第一導電類型的第一阱、在該半導體襯底上方形成的絕緣膜以及在該第一阱上方形成的柵極，其中該絕緣膜插置在該第一阱與該柵極之間；

一對第一導電類型的第一雜質擴散區，其設置在該第一區域的半導體襯底中，夾置位于該柵極下方的該第一阱，并電連接至該第一阱；以及

第二導電類型的第二雜質擴散區，其設置在第二區域的半導體襯底中，該第二區域與該半導體襯底的第一區域相鄰。

10.如權利要求9所述的半導體可變電容器，其中

第二導電類型的第二阱形成在該第二區域中，

所述第二雜質擴散區電連接至該第二阱，以及

該柵極在該第二阱上方延伸。

11.如權利要求9所述的半導體可變電容器，其中該第一阱還形成在該第二區域中。

12.如權利要求9所述的半導體可變電容器，還包括：

用于定義有源區的器件隔離膜，其中

所述第一雜質擴散區和所述第二雜質擴散區形成在一個有源區中，并且相互隔離。

13.如權利要求12所述的半導體可變電容器，還包括：

第一金屬硅化物膜，其形成在所述第一雜質擴散區上，以及

第二金屬硅化物膜，其形成在所述第二雜質擴散區上，其中

該第一金屬硅化物膜和該第二金屬硅化物膜被形成為相互隔離。

14.如權利要求9所述的半導體可變電容器，其中

該柵極為所述第一導電類型。

15.如權利要求9所述的半導體可變電容器，其中

該柵極為所述第二導電類型。

16.如權利要求9所述的半導體可變電容器，其中

該柵極由金屬材料構成。

17.如權利要求9所述的半導體可變電容器，其中

該第一阱或該第二阱與該半導體襯底電隔離。