[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 200810087412.8 | 申請日: | 2008-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN101276742A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 基村雅洋;高橋弘明;前川直嗣;林豊秀 | 申請(專利權)人: | 大日本網目版制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 馬少東;徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其利用處理液對基板進行處理,其特征在于,包含有以下構件:
處理槽,其具有存積處理液的內槽、和回收從內槽溢出的處理液的外槽;
供給配管,其將上述內槽和上述外槽連通連接,并使處理液循環;
第一分支配管,其將上述供給配管分流;
分離裝置,其配設于上述第一分支配管,將處理液中的純水和溶劑分離,并排出純水;
第二分支配管,其將上述分離裝置的上游側和下游側連通連接;
純水去除裝置,其配設于上述第二分支配管,用于吸附去除處理液中的純水;
注入管,其配設于上述供給配管,在上述分離裝置的下游側注入純水;
溶劑注入裝置,其將溶劑注入到上述注入管中;
控制裝置,其在從上述注入管提供純水并用純水清洗處理槽內的基板的純水清洗處理之后,執行從上述溶劑注入裝置注入溶劑并用溶劑來置換純水的置換處理,之后,切換至上述第一分支配管,通過上述分離裝置執行從處理液中去除純水的分離去除處理,再切換至上述第二分支配管,通過上述純水去除裝置執行吸附并去除處理液中的純水的吸附去除處理。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具有:
混合裝置,其設置在位于上述分離裝置的上游側的上述第一分支配管上,用于混合純水和溶劑;
第三分支配管,其將上述混合裝置的上游側和處在上述混合裝置下游側的上述分離裝置的上游側連通連接,
上述控制裝置在溶劑為水溶性的情況下,執行分離去除處理時,切換處理液的流路至上述第三分支配管;上述控制裝置在溶劑為非水溶性的情況下,執行分離去除處理時,使處理液通過上述混合裝置。
3.如權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述混合裝置具有注入純水的注入部。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述分離裝置具有:
過濾器,其用于將油水分離;
外殼,其包圍著上述過濾器;
流入部,其設置于上述外殼上,用于使處理液流入;
流出部,其設置于上述外殼上,用于使已通過上述過濾器的處理液流出;
排出部,其設置于上述外殼上,用于將利用上述過濾器而分離出的純水排出;
冷卻裝置,其用于冷卻上述過濾器。
5.如權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述分離裝置具有:
過濾器,其用于將油水分離;
外殼,其包圍著上述過濾器;
流入部,其設置于上述外殼上,用于使處理液流入;
流出部,其設置于上述外殼上,用于使已通過上述過濾器的處理液流出;
排出部,其設置于上述外殼上,用于將利用上述過濾器而分離出的純水排出;
冷卻裝置,其用于冷卻上述過濾器。
6.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有:
超聲波賦予裝置,其對存積于上述內槽中的處理液賦予超聲波振動;
濃度計,其用于測定處理液的純水濃度,
上述控制裝置,在由上述濃度計測定的純水濃度達到給定值以下之后,使上述超聲波賦予裝置工作。
7.如權利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述給定值為10000ppm。
8.如權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述溶劑注入裝置用于注入氫氟醚或異丙醇。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





