[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810087412.8 | 申請(qǐng)日: | 2008-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101276742A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 基村雅洋;高橋弘明;前川直嗣;林豊秀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 馬少東;徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其利用處理液對(duì)基板進(jìn)行處理,其特征在于,包含有以下構(gòu)件:
處理槽,其具有存積處理液的內(nèi)槽、和回收從內(nèi)槽溢出的處理液的外槽;
供給配管,其將上述內(nèi)槽和上述外槽連通連接,并使處理液循環(huán);
第一分支配管,其將上述供給配管分流;
分離裝置,其配設(shè)于上述第一分支配管,將處理液中的純水和溶劑分離,并排出純水;
第二分支配管,其將上述分離裝置的上游側(cè)和下游側(cè)連通連接;
純水去除裝置,其配設(shè)于上述第二分支配管,用于吸附去除處理液中的純水;
注入管,其配設(shè)于上述供給配管,在上述分離裝置的下游側(cè)注入純水;
溶劑注入裝置,其將溶劑注入到上述注入管中;
控制裝置,其在從上述注入管提供純水并用純水清洗處理槽內(nèi)的基板的純水清洗處理之后,執(zhí)行從上述溶劑注入裝置注入溶劑并用溶劑來(lái)置換純水的置換處理,之后,切換至上述第一分支配管,通過(guò)上述分離裝置執(zhí)行從處理液中去除純水的分離去除處理,再切換至上述第二分支配管,通過(guò)上述純水去除裝置執(zhí)行吸附并去除處理液中的純水的吸附去除處理。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具有:
混合裝置,其設(shè)置在位于上述分離裝置的上游側(cè)的上述第一分支配管上,用于混合純水和溶劑;
第三分支配管,其將上述混合裝置的上游側(cè)和處在上述混合裝置下游側(cè)的上述分離裝置的上游側(cè)連通連接,
上述控制裝置在溶劑為水溶性的情況下,執(zhí)行分離去除處理時(shí),切換處理液的流路至上述第三分支配管;上述控制裝置在溶劑為非水溶性的情況下,執(zhí)行分離去除處理時(shí),使處理液通過(guò)上述混合裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述混合裝置具有注入純水的注入部。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述分離裝置具有:
過(guò)濾器,其用于將油水分離;
外殼,其包圍著上述過(guò)濾器;
流入部,其設(shè)置于上述外殼上,用于使處理液流入;
流出部,其設(shè)置于上述外殼上,用于使已通過(guò)上述過(guò)濾器的處理液流出;
排出部,其設(shè)置于上述外殼上,用于將利用上述過(guò)濾器而分離出的純水排出;
冷卻裝置,其用于冷卻上述過(guò)濾器。
5.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述分離裝置具有:
過(guò)濾器,其用于將油水分離;
外殼,其包圍著上述過(guò)濾器;
流入部,其設(shè)置于上述外殼上,用于使處理液流入;
流出部,其設(shè)置于上述外殼上,用于使已通過(guò)上述過(guò)濾器的處理液流出;
排出部,其設(shè)置于上述外殼上,用于將利用上述過(guò)濾器而分離出的純水排出;
冷卻裝置,其用于冷卻上述過(guò)濾器。
6.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
具有:
超聲波賦予裝置,其對(duì)存積于上述內(nèi)槽中的處理液賦予超聲波振動(dòng);
濃度計(jì),其用于測(cè)定處理液的純水濃度,
上述控制裝置,在由上述濃度計(jì)測(cè)定的純水濃度達(dá)到給定值以下之后,使上述超聲波賦予裝置工作。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述給定值為10000ppm。
8.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述溶劑注入裝置用于注入氫氟醚或異丙醇。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社,未經(jīng)大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810087412.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:飛灰固化系統(tǒng)
- 下一篇:光通信裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





