[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810087412.8 | 申請(qǐng)日: | 2008-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101276742A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 基村雅洋;高橋弘明;前川直嗣;林豊秀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司: | 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 馬少東;徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種通過處理液對(duì)半導(dǎo)體晶片或液晶顯示用的玻璃基板(以下稱為基板)進(jìn)行處理的基板處理裝置。
背景技術(shù)
以往,作為這種裝置,例如具有存積處理液并容置基板的處理槽,和向處理槽的上部空間提供異丙醇(IPA:Isopropyl?Alcohol)氣體的噴嘴(例如日本特開平10-22257號(hào)公報(bào))。在該裝置中,向處理槽提供純水并清洗基板后,向處理槽的上部空間提供IPA氣體而形成IPA氣體環(huán)境。接著,通過將基板撈起并移動(dòng)至處理槽上部的IPA氣體中,使基板上附著的純水被IPA置換,從而促進(jìn)其干燥。
但是,在以往具有這樣結(jié)構(gòu)的實(shí)例中,存在下述這樣的問題。
即,一方面,以往的裝置,通過從純水中撈起用純水清洗過的基板,并移動(dòng)至IPA氣體環(huán)境中,能夠在某種程度上促進(jìn)基板的干燥,但是另一方面,不能充分的干燥在形成于基板的細(xì)小圖案間所附著的純水,有可能產(chǎn)生基板的干燥不良。
然而,在最近的半導(dǎo)體設(shè)備中,作為比以往大幅提高了集成度的技術(shù),存儲(chǔ)器領(lǐng)域開始采用電容器結(jié)構(gòu)為圓柱體形狀的電容器。這樣的圓柱體結(jié)構(gòu)的電容器縱橫比極大,很難使進(jìn)入其縫隙間的純水充分干燥,因而上述問題變得更加突出。此外,即使是所謂的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS:Micro?ElectroMechanical?Systems)相關(guān)的設(shè)備,也可能產(chǎn)生同樣的問題。
因此,考慮過不使用純水作為撈起基板前最后的處理液,而在用溶劑置換純水后撈起基板的方法。不過,在該情況下,雖然用溶劑充分置換純水很重要,但是即使向純水中提供大量的溶劑,也不能使溶劑中純水的濃度降到一定值以下,不能用溶劑充分置換純水。因此,還是有可能因純水而產(chǎn)生干燥不良這一問題。
此外,在如上所述用溶劑置換純水后,在撈起基板時(shí),即使向純水中提供大量的溶劑,進(jìn)入基板的細(xì)微結(jié)構(gòu)中的純水緩慢地溶入處理液中,也會(huì)產(chǎn)生處理液中的純水濃度逐漸增加的現(xiàn)象。因此,還是會(huì)因純水而產(chǎn)生干燥不良,同時(shí)有可能在撈起基板時(shí)因純水的表面張力而發(fā)生細(xì)微結(jié)構(gòu)的倒塌。
此外,以往作為這種裝置,具有多個(gè)處理槽和跨各處理槽搬運(yùn)基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu),存在有在各處理槽中用不同的處理液順序進(jìn)行處理的裝置(例如,日本特開平10-22257號(hào)公報(bào))。這樣的裝置中順序移動(dòng)基板,同時(shí)進(jìn)行一系列的處理,例如,在第一處理槽中用緩沖氫氟酸(BHF:Buffered?HydrofluoricAcid)輕輕刻蝕表面,在第二處理槽中用純水清洗,在第三處理槽中將純水置換為IPA,在第四處理槽中形成溶劑蒸氣的氣體環(huán)境使基板干燥。
但是,在具有這樣結(jié)構(gòu)的以往的實(shí)例的情況下,存在下述這樣的問題。
即,以往的裝置,在基板上形成有細(xì)微圖案的情況下,在處理槽之間移動(dòng)基板時(shí),因?yàn)樵摷?xì)微圖案間殘留的純水的表面張力,而存在使形成于基板上的細(xì)微圖案發(fā)生倒塌這一問題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況,本發(fā)明的目的在于,提供一種基板處理裝置,能夠通過極力地降低溶劑中的純水濃度,來防止因純水而引起的干燥不良。
此外,鑒于上述情況,本發(fā)明的目的在于,提供一種基板處理裝置,能夠通過極力地除去用溶劑置換過的處理液中的純水,來防止干燥不良和細(xì)微結(jié)構(gòu)的倒塌。
此外,鑒于上述情況,本發(fā)明的目的在于,提供一種基板處理裝置,能夠通過提高純水的去除率,來防止形成于基板的細(xì)微圖案的倒塌。
本發(fā)明提供一種基板處理裝置,其利用處理液處理基板,其特征在于,具有以下構(gòu)件:處理槽,其具有存積處理液的內(nèi)槽和、回收從內(nèi)槽溢出的處理液的外槽;供給配管,其連通上述內(nèi)槽和上述外槽,使處理液循環(huán);第一分支配管,其分流上述供給配管;分離裝置,其配設(shè)于第一分支配管,分離處理液中的純水和溶劑,并排出純水;第二分支配管,其連通上述分離裝置的上游和下游;純水去除裝置,其配設(shè)于上述第二分支配管,吸附去除處理液中的純水;注入管,其配設(shè)于上述供給配管,在上述分離裝置的下游處注入純水;溶劑注入裝置,其將溶劑注入到上述注入管中;控制裝置,其在執(zhí)行從上述注入管提供純水并用純水清洗處理槽內(nèi)的基板的純水清洗處理后,執(zhí)行從上述溶劑注入裝置注入溶劑并用溶劑來置換純水的置換處理,之后,切換至上述第一分支配管,通過上述分離裝置執(zhí)行從處理液中去除純水的分離去除處理,再切換至上述第二分支配管,通過上述純水去除裝置執(zhí)行吸附并去除處理液中的純水的吸附去除處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





