[發明專利]載置臺的表面處理方法有效
| 申請號: | 200810086917.2 | 申請日: | 2008-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN101276775A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發明(設計)人: | 青砥雅;菊池英一郎;樋熊政一;樋口公博 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 沙捷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 載置臺 表面 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種其上安裝基片的載置臺的表面處理方法,更具體地,涉及到一種基片處理設備的載置臺的表面處理方法,該載置臺處理設備通過等離子體在基片上進行處理。
背景技術
在作為基片的晶片上進行等離子體處理的基片處理設備中有一個容納晶片的容納室,和設置在容納室中的載置臺,而晶片被安裝在該載置臺上。在這樣的基片處理設備中,在容納室中產生等離子體,且等離子對晶片進行等離子體處理。
載置臺由鋁制成,并且在載置臺的上表面上形成由例如氧化鋁的陶瓷制成的熱噴涂膜。被施加直流電壓的靜電電極板埋在熱噴涂膜里。
當晶片被安裝在載置臺上時,將高壓直流電壓提供至靜電電極板,則在靜電電極板和晶片的后表面之間產生電勢差,因此,由于這種電勢差產生的庫侖力將晶片吸附在載置臺上。也就是說,載置臺用作靜電卡盤。
載置臺安裝在基本圓柱形的基座上。基座中有冷卻室,在等離子體處理過程中,冷卻室里的冷卻劑對吸附到載置臺的晶片進行冷卻。
使用通過將研磨顆粒壓制在一起形成圓盤形狀而得到的磨石,對載置臺上的熱噴涂膜進行研磨。然而,雖然在宏觀上看起來是平滑的,但在微觀下,熱噴涂膜的表面(安裝表面)仍然是粗糙的。
如果使用具有研磨安裝表面的載置臺在晶片與晶片的基礎上,對大量的晶片進行等離子體處理,則每次更換晶片,晶片和安裝表面都互相摩擦,這樣引起安裝表面在微觀下的粗糙程度發生變化。也就是說,如果大量的晶片受到等離子體處理,那么微觀觀察到的安裝表面就會變得平滑。如果安裝表面變得平滑,在晶片和安裝表面之間的接觸面積擴大,或者通過擴大基座,因此可以提高從晶片向安裝表面熱傳導的效率。結果,在大量晶片被等離子體處理之后,晶片的溫度要低于在大量晶片被等離子體處理之前的晶片的溫度。因為等離子體處理受到晶片溫度的影響,因此在大量的晶片上進行等離子體處理的處理結果不能夠保持一致。
此外,本發明的發明者確定,當等離子體處理已經在一定數量的晶片(例如,與正常等離子體處理中提供射頻電力累計時間段的3000小時相對應的晶片數量)上進行時,等離子體處理達到飽和引起安裝表面微觀下的粗糙程度的變化。
為了減少載置臺安裝表面這樣的微觀下粗糙程度的變化,已經開發出一種載置臺表面處理方法,在這種方法中,用使用磨石研磨,精研板精研,及帶狀精研裝置精研這種順序對安裝表面進行研磨,因此當從微觀地觀察時安裝表面能夠變得平滑(例如,參見日本專利公開(Kokai)號2007-258240)。
然而,上文中說明的表面處理方法需要大量的處理設備(磨石、精研板及帶狀精研裝置)和大量的步驟。因此,上文中說明的表面處理方法需要大量的時間和精力,因此不易使用。此外,磨石、精研板及帶狀精研裝置與安裝表面接觸的形式,與晶片和安裝表面接觸的形式是不同的。因此,使用上文中說明的表面處理方法的載置臺的安裝表面是不太可能與晶片相符合的。
發明內容
本發明提供了載置臺的表面處理方法,這種方法能夠使安裝表面與將形成的基片相符合,并且節省了時間和精力。
因此,在本發明中,為載置臺提供出了一種表面處理方法,該載置臺設置在對基片進行等離子體處理的基片處理設備的容納室中,且具有安裝所述基片的安裝表面,所述載置臺的表面處理方法包括使所安裝的基片熱膨脹的膨脹步驟。
根據本發明,因為安裝在載置臺的安裝表面上的基片受熱膨脹,基片的接觸表面與安裝表面互相摩擦,因此當微觀地觀察時安裝表面變得平滑。因為僅使用了基片,節省了時間和精力,同樣也因為,使用基片使安裝表面變得平滑,所以可形成與基片相符合的安裝表面。
本發明提供的載置臺的表面處理方法,其中基片的熱膨脹系數與載置臺的熱膨脹系數不同。
根據本發明,因為基片的熱膨脹系數與載置臺的熱膨脹系數不同,當基片受熱膨脹時,基片的接觸表面和安裝表面能夠強烈地互相摩擦。
本發明提供的載置臺的表面處理方法,其中所述基片處理設備包括將處理氣流引入所述容納室的氣體引導裝置,還包括向所述容納室提供射頻電力的電極,且在所述膨脹步驟中,所提供的射頻電力將所述處理氣體轉變成等離子體,且該等離子體對所述基片加熱。
根據本發明,因為等離子體對基片加熱,所以加熱基片就很容易。此外因為氣體引導裝置和電極是使用等離子體的基片處理設備的基本組件,從而沒有必要為了膨脹基片而提供任何特殊的裝置。
本發明提供了載置臺的表面處理方法,其中在膨脹步驟中,提供出所述電極所能提供的最大量的射頻電力。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810086917.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:木瓷磚
- 下一篇:內襯套滾輪式抽油桿扶正器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





