[發明專利]載置臺的表面處理方法

有效

• 申請號: 200810086917.2
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101276775A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 青砥雅;菊池英一郎;樋熊政一;樋口公博
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50;C23F4/00;H01J37/32
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 沙捷

1.載置臺的表面處理方法，該載置臺設置在對基片進行等離子體處理的基片處理設備的容納室中，且具有安裝所述基片的安裝表面，所述載置臺的表面處理方法包括：

使所安裝的基片熱膨脹的膨脹步驟。

2.根據權利要求1所述的載置臺的表面處理方法，其中所述基片的熱膨脹系數與所述載置臺的熱膨脹系數不同。

3.根據權利要求1所述的載置臺的表面處理方法，其中

所述基片處理設備包括將處理氣流引入所述容納室的氣體引導裝置，還包括向所述容納室中提供射頻電力的電極，且

在所述膨脹步驟中，所提供的射頻電力將所述處理氣體轉變成等離子體，且該等離子體將所述基片加熱。

4.根據權利要求3所述的載置臺的表面處理方法，其中在所述膨脹步驟中，提供所述電極所能提供的最大量的射頻電力。

5.根據權利要求1所述的載置臺的表面處理方法，其中

所述基片處理設備包括氣體供應裝置，該氣體供應裝置將熱傳導氣體提供至所安裝的基片和所述安裝表面之間的空隙中，且

在所述膨脹步驟中，所述氣體供應裝置停止提供所述熱傳導氣流。

6.根據權利要求1所述的載置臺的表面處理方法，其中

所述載置臺包括靜電吸附所述基片的吸附裝置，且

在所述膨脹步驟中，該吸附裝置能夠靜電吸附所述基片。

7.根據權利要求1所述的載置臺的表面處理方法，其中所述膨脹步驟重復地進行。

8.根據權利要求7所述的載置臺的表面處理方法，其中每次重復所述膨脹步驟時，都更換所安裝的基片。

9.根據權利要求7所述的載置臺的表面處理方法，包括：

在所述膨脹步驟之后將所安裝的基片從所述容納室輸送出的輸送步驟；

從被輸送的基片的與所述載置臺的所述安裝表面接觸的接觸表面移除沉積物的移除步驟；及

對所述基片的所述接觸表面進行再研磨的再研磨步驟。

10.根據權利要求1所述的載置臺的表面處理方法，其中所述基片具有覆蓋接觸表面的薄膜，并且該薄膜的硬度低于所述安裝表面的硬度。