[發明專利]汽化器和半導體處理系統

無效

• 申請號: 200810086915.3
• 申請日: 2008-03-28
• 公開（公告）號: CN101285178A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 加藤壽;岡部庸之;大倉成幸;中尾賢
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

技術領域

本發明涉及用于從液體原料得到處理氣體的汽化器和半導體處理系統。在此，所謂半導體處理是為了按規定的圖形在晶片或LCD(液晶顯示器)那樣的用于FPD(平板顯示器)的玻璃基板等被處理基板上形成半導體層、絕緣層、導電層等，由此在該被處理基板上制造半導體器件或包含與半導體器件連接的配線、電極等結構物而實行的各種處理。

背景技術

作為半導體制造處理的一種有在半導體晶片W的表面上形成規定的膜的成膜處理。該處理例如使用減壓CVD(化學蒸氣沉積)裝置進行。該減壓CVD裝置通過氣體狀態供給原料，進行化學反應，在晶片表面上堆積薄膜。在該裝置中存在以汽化液體原料得到的處理氣體作為成膜氣體導入處理室內的情況。

作為使用汽化液體原料得到的處理氣體的成膜處理的例子有以下的例子。即，使用汽化TEOS(四乙氧基硅烷)得到的處理氣體和氧氣(O₂)形成SiO₂膜。使用汽化8i₂Cl₆得到的處理氣體和氨(NH₃)氣，形成氮化硅(Si₃N₄)膜。

特許文獻1(特開平3-126872號公報(第3頁，段落30，圖1))公開了汽化液體原料的汽化器的一種形式。在這種汽化器的情況下，利用噴霧器將霧狀液體原料供給到加熱至規定溫度的汽化室內進行汽化。但是，在該汽化器中，當霧狀液體原料在汽化室內流通期間，沒有能夠進行充分的熱交換。因此，在從連接于汽化室的出口側的管排出的處理氣體中包含許多霧(mist)。在將這種處理氣體供給到例如減壓CVD裝置等的反應室內的情況下，該霧附著在晶片表面上，成為顆粒。即，霧成為在晶片上產生顆粒的重要原因。

鑒于這個問題，本發明者們所屬的研究組開發了圖6所示的汽化器300。該汽化器300包括在側壁上具有加熱器301的汽化室302，在該汽化室內部的底面上配置下部熱交換體303。為了在下部熱交換體303的表面上也使液體原料汽化，在下部熱交換體303內，例如沿著下部熱交換體303的周方向埋入4個棒狀體的加熱器304。加熱器301、304與電源部310連接。從汽化室302的上面通過噴注器305而在汽化室302內被霧化的液體原料，通過汽化室302的側壁的加熱器301和下部熱交換體303內的加熱器304加熱至例如150℃并被汽化。并且，汽化后的液體原料作為處理氣體從取出口306供給至例如CVD裝置等的消費裝置。

然而，如后文所述，根據本發明者們的研究發現該汽化器伴隨著一些問題。

發明內容

本發明的目的是提供能夠高效率地汽化液體原料，還能夠抑制顆粒的產生的汽化器。本發明的另一目的是提供處理效率高的半導體處理系統。

本發明的第一觀點為一種從液體原料得到處理氣體的汽化器，包括：規定所述汽化器的處理空間的容器；具有使所述液體原料呈霧狀向下方噴出至所述容器內的排出口的噴注器；在所述排出口的下側配置在所述容器內的具有中空的內部空間的下部熱交換體，并且在所述排出口和所述下部熱交換體之間規定所述霧狀液體原料的助起動空間，在所述容器的內側面和所述下部熱交換體之間，規定與所述助起動空間連接的環狀空間；配置在所述下部熱交換體的所述內部空間中的內部加熱器，該內部加熱器作成為利用陶瓷密封編織有多根碳纖維束的碳線的結構，所述內部加熱器加熱通過所述環狀空間的所述霧狀液體原料生成所述處理氣體；以從所述環狀空間導出所述處理氣體的方式與所述容器連接的氣體導出路；和當停止來自所述噴注器的所述液體原料的排出時，減少或停止向所述內部加熱器的電力供給的控制部。