[發明專利]像素的形成方法

有效

• 申請號: 200810086863.X
• 申請日: 2008-03-17
• 公開（公告）號: CN101246858A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 詹勛昌;林漢涂
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/321;H01L21/3213
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 郭蔚

1.一種像素的形成方法，包括：

形成一柵極于一基板上；

形成一柵極絕緣層于該柵極上，覆蓋該柵極；

形成一通道層于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

形成一源極及一漏極于該柵極兩側的該通道層上，且該柵極、該通道層、該源極以及該漏極構成一薄膜晶體管；

形成一保護層于該薄膜晶體管上并曝露出部分的該漏極；

形成一圖案化光阻層于該保護層上；

形成一透明導電層于該基板上、該圖案化光阻層及未被該圖案化光阻層覆蓋的該薄膜晶體管上；

形成一第一金屬層于該透明導電層上；

以一剝離制作工藝將位于該圖案化光阻層上的該透明導電層與該第一金屬層移除；

以一酸性溶劑溶解已剝離的該透明導電層及該第一金屬層；以及

移除殘留的該第一金屬層以裸露出未被該圖案化光阻層覆蓋的該薄膜晶體管上的該透明導電層及位于該基板上的該透明導電層。

2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，于以該酸性溶劑溶解已剝離的該透明導電層及該第一金屬層的步驟包括：

以該酸性溶劑將已剝離的該透明導電層及該第一金屬層沖刷至具有該酸性蝕刻液的一溶解槽；以及

于該溶解槽中以該酸性溶劑溶解該透明導電層及該第一金屬層。

3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，于移除殘留的該第一金屬層的步驟系以該酸性溶劑進行蝕刻。

4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，另包括：

于覆蓋該第一金屬層的步驟之后及進行該剝離制作工藝的步驟之前，覆蓋一第二金屬層于該第一金屬層上。

5.根據權利要求4所述的的形成方法，其特征在于，于以該酸性溶劑溶解已剝離的該透明導電層及該第一金屬層的步驟包括：

以該酸性蝕刻液溶解已剝離的該第二金屬層溶解。

6.根據權利要求5所述的的形成方法，其特征在于，于以該酸性蝕刻液溶解的步驟包括：

以該酸性溶劑將已剝離的該第二金屬層沖刷至具有該酸性蝕刻液的一溶解槽；以及

于該溶解槽中以該酸性蝕刻液溶解該第二金屬層。

7.根據權利要求6所述的形成方法，其特征在于，該形成方法于蝕刻殘留的該第一金屬層的步驟前包括移除覆蓋于該第一金屬層的該第二金屬層。

8.根據權利要求4所述的形成方法，其特征在于，該第二金屬層的材質為鉬(molybdenum)、鉬氮化物、鈦(titanium)、鈦氮化物、鉭(tantalum)、鉭氮化物、鋁或銅。

9.根據權利要求8所述的形成方法，其特征在于，該酸性溶劑對于該第二金屬層的蝕刻速率實質上較低于對于該第一金屬層的蝕刻速率。

10.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，另包括：在蝕刻殘留的該第一金屬層的該步驟之后，移除該圖案化光阻層。

11.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，該圖案化光阻層的材質系為高分子有機物。

12.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，該透明導電層以及該第一金屬層的材質系為無機物。

13.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，該第一金屬層的材質為鉬(molybdenum)、鉬氮化物、鈦(titanium)、鈦氮化物、鉭(tantalum)、鉭氮化物、鋁或銅。

14.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，該剝離制作工藝系為加熱該圖案化光阻層。

15.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，該剝離制作工藝系以鐳射處理該圖案化光阻層。