[發(fā)明專利]像素的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810086863.X
• 申請日: 2008-03-17
• 公開（公告）號: CN101246858A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹勛昌;林漢涂
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/321;H01L21/3213
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 郭蔚

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明是有關(guān)于一種像素的形成方法，且特別是有關(guān)于一種應(yīng)用剝離制作工藝的像素形成方法。

【背景技術(shù)】

薄膜晶體管主要系經(jīng)由數(shù)道繁瑣的光刻技術(shù)(photolithography)以及顯影蝕刻技術(shù)來形成，且此些步驟需于黃光室內(nèi)進(jìn)行，以確保光阻曝光圖案的正確性。由于黃光制作工藝的成本相當(dāng)昂貴，因此假若能有效地減少黃光制作工藝內(nèi)的步驟便能有效地的縮短制作工藝的時(shí)間，減少光罩及黃光制作工藝的使用，進(jìn)而降低制造成本。

目前減少黃光制作工藝步驟較為常見的方法為剝離(lift?off)制作工藝，請參照圖1至圖3，其繪示一種傳統(tǒng)應(yīng)用剝離制作工藝的像素結(jié)構(gòu)制造流程圖。在像素結(jié)構(gòu)制作過程中，首先請參照圖1，當(dāng)完成保護(hù)層10的制作后，保留制作保護(hù)層10的制作工藝所需的圖案化光阻層12于保護(hù)層10上，接下來，像素電極14全面性的覆蓋于光阻層12及保護(hù)層10上。

接著，請參照圖2，此時(shí)加入堿性剝離液，用以剝離圖案化光阻層12與位于其上的像素電極14。同時(shí)，沒有覆蓋于圖案化光阻層12上的像素電極14則會(huì)留下，在剝離制作工藝的步驟中同時(shí)完成像素電極14的圖案化步驟，如圖3所示。這是由于圖案化光阻層12的聚合物(polymer)材質(zhì)會(huì)溶于堿性剝離液但像素電極14并不溶于堿性剝離液，故加入的堿性剝離液將保護(hù)層10上的圖案化光阻層12溶解，而使圖案化光阻層12與保護(hù)層10脫離。如此一來，于圖案化光阻層12上的像素電極14自然會(huì)因圖案化光阻層12的脫離而順帶脫離。傳統(tǒng)上利用剝離制作工藝來達(dá)成像素電極圖案化的結(jié)果，而不需要多加一道制作工藝來進(jìn)行像素電極圖案化的步驟。因此，便能有效減少制作工藝的時(shí)間，并降低成本。

然而，由于液晶顯示器中的玻璃基板的尺寸逐步放大，相對所使用的各項(xiàng)化學(xué)藥劑的消耗量亦同步增高。如何減少化學(xué)藥劑的消耗量，已成為了各界關(guān)切的問題。因此各種化學(xué)藥劑回收已逐漸應(yīng)用于各個(gè)制作工藝中，除可有效降低制造成本外，更能減少有害事業(yè)廢棄物的產(chǎn)生。

如前所述，應(yīng)用于剝離制作工藝中的堿性剝離液必需只能溶解圖案化光阻層12而無法溶解像素電極14，才能夠在不破壞像素電極14之前提下進(jìn)行此剝離制作工藝。隨著光阻層12一起被剝離的像素電極14正因?yàn)闊o法溶解而于回收槽中的堿性剝離液形成為數(shù)眾多的固體顆粒，若是直接將其回收使用，以具有顆粒的堿性剝離液再次沖洗薄膜晶體管基板將對基板造成污染與損害。目前已有人提出一種回收化學(xué)品的方法：在收集剝離制作工藝的堿性剝離液于儲(chǔ)存槽之后，加入約略2％wt的硫代苯酸(Thiobenzoic?acid)或磺酸(sulfonic?acid)用以溶解像素電極14材料的顆粒，再繼續(xù)做為下批薄膜晶體管剝離制作工藝中的堿性剝離液。然而，就算加入2％wt的硫代苯酸及磺酸處理30分鐘以上只能將部分的像素電極14溶解，堿性剝離液中仍然還會(huì)有些許像素電極14的顆粒(particle)。

然而，原本便需使用大量的堿性剝離液于剝離制作工藝中，現(xiàn)今又為使堿性剝離液中的像素電極14溶解，而需停留于儲(chǔ)存槽中超過30分鐘。因此，用于儲(chǔ)存的堿性剝離液的儲(chǔ)存槽必定需要龐大的體積。此外，像素電極14于堿性剝離液中仍然會(huì)存有微小的顆粒，若在重復(fù)使用堿性剝離液的回路管路中加裝一組過濾器，不但會(huì)減慢液體回流速度，更由于像素電極14無法完全溶解于堿性剝離液中，而使大量的顆粒容易堵塞過濾器，必須中斷流程來更換濾網(wǎng)，使整個(gè)堿性溶劑回收制作工藝的實(shí)際應(yīng)用效果不彰，也更加的復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明系有關(guān)于一種像素的形成方法，系通過剝離(lift-off)制作工藝將位于圖案化光阻層上方的透明電極層剝離，再經(jīng)由酸性溶劑將已剝離的透明電極層溶解，以加速制作工藝蝕刻溶解的速度，縮短制作工藝的時(shí)間，并可避免透明電極層顆粒堵塞過濾器，且降低制作工藝的成本。

本發(fā)明提供一種像素的形成方法，此形成方法包括下列步驟：形成柵極于基板上；形成柵極絕緣層于柵極上以覆蓋柵極；形成通道層于柵極上方的柵極絕緣層上；形成源極及漏極于柵極兩側(cè)的通道層上，且柵極、通道層、源極以及漏極構(gòu)成薄膜晶體管；形成保護(hù)層于薄膜晶體管上并曝露出部分的漏極；形成圖案化光阻層于保護(hù)層上；形成透明導(dǎo)電層于基板上、圖案化光阻層及未被圖案化光阻層覆蓋的薄膜晶體管上；形成第一金屬層于透明導(dǎo)電層上；以剝離制作工藝將位于圖案化光阻層上的透明導(dǎo)電層與第一金屬層移除；以酸性溶劑溶解已剝離的透明導(dǎo)電層及第一金屬層；以及移除殘留的第一金屬層以裸露出未被圖案化光阻層覆蓋的薄膜晶體管上的透明導(dǎo)電層及位于基板上的透明導(dǎo)電層。