[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810086409.4
• 申請日: 2008-03-13
• 公開（公告）號: CN101533805A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪建興;吳英明;黃坤源;陳晉昇;黃乙峰
• 申請（專利權(quán)）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陳 亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達，多半受惠于半導(dǎo)體元件與顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示面板已逐漸成為市場的主流。

具體來說，液晶顯示面板是由一薄膜晶體管陣列基板、一彩色濾光基板與一夾于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。一般傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列基板的制造方法需通過五道光掩模制程才能完成，其中第一道光掩模制程主要是將柵極與掃描線(scan?line)定義出來，第二道光掩模制程主要是將溝道層(channel)定義出來，第三道光掩模制程主要是將源極(source)、漏極(drain)與數(shù)據(jù)線(dataline)定義出來，第四道光掩模制程主要是將保護層(passivation)定義出來，而第五道光掩模制程主要是將像素電極(pixel?electrode)定義出來。

值得注意的是，在形成掃描線與數(shù)據(jù)線時容易有斷線的問題，這會直接導(dǎo)致薄膜晶體管陣列基板的制造良率下降，并大幅提高生產(chǎn)成本。此外，液晶顯示面板的顯示品質(zhì)也會直接受到影響，實有改進的必要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其具有高良率的優(yōu)點。

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其具有良好的可靠度。

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其可制造出不易斷線的像素結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其具有不易斷線的優(yōu)點。

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟：首先，提供一基板。接著，于基板上形成一掃描線與一柵極，且掃描線與柵極電性連接。然后，于基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋基板、掃描線與柵極。之后，于柵極上方的柵絕緣層上形成一圖案化半導(dǎo)體層。此外，于柵絕緣層上方形成一數(shù)據(jù)線，并于部分的圖案化半導(dǎo)體層上分別形成一源極與一漏極，其中數(shù)據(jù)線與源極電性連接。另外，形成一保護層，以覆蓋部分柵絕緣層、源極、漏極、數(shù)據(jù)線與部分圖案化半導(dǎo)體層。此外，保護層具有一暴露出漏極的第一接觸窗開口與多個暴露出數(shù)據(jù)線的第二接觸窗開口。之后，于保護層上形成一像素電極與一第一連接導(dǎo)線。此像素電極透過第一接觸窗開口而與漏極電性連接。另一方面，第一連接導(dǎo)線位于數(shù)據(jù)線上方的保護層上并通過第二接觸窗開口而與數(shù)據(jù)線電性連接。

在本發(fā)明的一實施例中，還于柵絕緣層與保護層中形成多個第三接觸窗開口，以暴露出掃描線。

在本發(fā)明的一實施例中，上述形成像素電極與第一連接導(dǎo)線時，一并形成一第二連接導(dǎo)線，且第二連接導(dǎo)線透過第三接觸窗開口而與掃描線電性連接。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素電極與第一連接導(dǎo)線的材料例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二連接導(dǎo)線的材料例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一掃描線、一柵極、一柵絕緣層、一圖案化半導(dǎo)體層、一源極、一漏極、一數(shù)據(jù)線、一保護層、一像素電極與一第一連接導(dǎo)線。其中，掃描線與柵極皆配置于基板上，且掃描線與柵極電性連接。此外，柵絕緣層覆蓋上述的基板、掃描線與柵極。另外，圖案化半導(dǎo)體層至少配置于柵極上方的柵絕緣層上。上述的源極與漏極分別配置于圖案化半導(dǎo)體層上，且源極與數(shù)據(jù)線電性連接。另一方面，數(shù)據(jù)線配置于柵絕緣層上方，而保護層覆蓋部分柵絕緣層、部分圖案化半導(dǎo)體層、源極、漏極與數(shù)據(jù)線。此外，保護層具有一暴露出漏極的第一接觸窗開口與多個暴露出數(shù)據(jù)線的第二接觸窗開口。上述的像素電極配置于保護層上，并透過第一接觸窗開口而與漏極電性連接。另外，第一連接導(dǎo)線配置于數(shù)據(jù)線上方的保護層上，并透過第二接觸窗開口而與數(shù)據(jù)線電性連接。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的柵絕緣層與保護層中具有多個第三接觸窗開口，以暴露出掃描線。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)還包括一第二連接導(dǎo)線，其配置于掃描線上方的保護層上，并透過第三接觸窗開口而與掃描線電性連接，且第一連接導(dǎo)線與第二連接導(dǎo)線彼此電性絕緣。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素電極與第一連接導(dǎo)線的材料例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二連接導(dǎo)線的材料例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。