[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810086409.4
• 申請日: 2008-03-13
• 公開（公告）號: CN101533805A
• 公開（公告）日: 2009-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪建興;吳英明;黃坤源;陳晉昇;黃乙峰
• 申請（專利權(quán)）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陳 亮

1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一基板；

于該基板上形成一掃描線與一柵極，且該掃描線與該柵極電性連接；

于該基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋該基板、該掃描線與該柵極；

于該柵極上方的柵絕緣層上形成一圖案化半導體層；

于該柵絕緣層上方形成一數(shù)據(jù)線，并于部分的該圖案化半導體層上分別形成一源極與一漏極，其中該數(shù)據(jù)線與該源極電性連接；

形成一保護層，以覆蓋部分該柵絕緣層、該源極、該漏極、該數(shù)據(jù)線與部分該圖案化半導體層，其中該保護層具有一暴露出該漏極的第一接觸窗開口與多個暴露出該數(shù)據(jù)線的第二接觸窗開口；以及

于該保護層上形成一像素電極與一第一連接導線，其中該像素電極透過該第一接觸窗開口而與該漏極電性連接，而該第一連接導線位于該數(shù)據(jù)線上方的保護層上并透過該些第二接觸窗開口而與該數(shù)據(jù)線電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，還包括于該柵絕緣層與該保護層中形成多個第三接觸窗開口，以分別暴露出該掃描線。

3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該像素電極與該第一連接導線時，還一并形成一第二連接導線，且該第二連接導線透過該些第三接觸窗開口而與該掃描線電性連接。

4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素電極與該第一連接導線的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

5.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第二連接導線的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

6.一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

一基板；

一掃描線與一柵極，配置于該基板上，且該掃描線與該柵極電性連接；

一柵絕緣層，覆蓋該基板、該掃描線與該柵極；

一圖案化半導體層，至少配置于該柵極上方的柵絕緣層上；

一源極與一漏極，分別配置于該圖案化半導體層上，其中該源極與配置于該柵絕緣層上方的一數(shù)據(jù)線電性連接；

一保護層，覆蓋部分該柵絕緣層、部分該圖案化半導體層、該源極、該漏極與該數(shù)據(jù)線，其中該保護層具有一暴露出該漏極的第一接觸窗開口與多個暴露出該數(shù)據(jù)線的第二接觸窗開口；

一像素電極，配置于該保護層上，并透過該第一接觸窗開口而與該漏極電性連接；以及

一第一連接導線，配置于該數(shù)據(jù)線上方的保護層上，并透過該些第二接觸窗開口而與該數(shù)據(jù)線電性連接。

7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵絕緣層與該保護層中具有多個第三接觸窗開口，以分別暴露出該掃描線。

8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第二連接導線，配置于該掃描線上方的保護層上，并透過該些第三接觸窗開口而與該掃描線電性連接，且該第一連接導線與該第二連接導線彼此電性絕緣。

9.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極與該第一連接導線的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

10.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二連接導線的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。

11.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一基板；

于該基板上形成一掃描線與一柵極，且該掃描線與該柵極電性連接；

于該基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋該基板、該掃描線與該柵極；

于該柵極上方的柵絕緣層上形成一圖案化半導體層；

于該柵絕緣層上方形成一數(shù)據(jù)線，并于部分的該圖案化半導體層上分別形成一源極與一漏極，其中該數(shù)據(jù)線與該源極電性連接；

形成一保護層，以覆蓋部分該柵絕緣層、該源極、該漏極、該數(shù)據(jù)線與部分該圖案化半導體層，其中該保護層具有一暴露出該漏極的第一接觸窗開口，且該保護層與該柵絕緣層中具有多個暴露出該掃描線的第三接觸窗開口；以及

于該保護層上形成一像素電極與一第二連接導線，其中該像素電極透過該第一接觸窗開口而與該漏極電性連接，而該第二連接導線位于該掃描線上方的保護層上，并透過該些第三接觸窗開口而與該掃描線電性連接。

12.如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該像素電極與該第二連接導線的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。