[發明專利]高讀取速度低切換噪聲的存儲器電路及其方法

有效

• 申請號: 200810086293.4
• 申請日: 2008-03-25
• 公開（公告）號: CN101458958A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 陳泳旭;廖惇雨;陳嘉榮;梁甫年
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/16
• 分類號: G11C7/16;H03K17/16;H03K19/003
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種具高讀取速度及低切換噪聲的存儲器電路，其特征在于， 包含：

一第一三態緩存器，其是被輸入具有一第一電壓電平的一數據信 號，且當該第一三態緩存器開啟時，該數據信號經由一第一負載線路 輸出；

一第二三態緩存器，其與該第一負載線路電性連接，當該第二三 態緩存器開啟時，該第二三態緩存器接收并輸出該數據信號；以及

一預設電路，其為一金屬氧化物半導體晶體管的串疊電路，包含 一對金屬氧化物半導體晶體管，該對金屬氧化物半導體晶體管包含串 聯連接的一N型金屬氧化物半導體晶體管及一P型金屬氧化物半導體 晶體管，該預設電路是在該第一三態緩存器開啟之前從該對金屬氧化 物半導體晶體管之間的一輸出端提供具有一第二電壓電平的一預設電 壓至該第一負載線路，

其中，該預設電路接收一控制信號以同時開啟該N型及P型金屬 氧化物半導體晶體管，且當該第一三態緩存器開啟時，該第一負載線 路的電壓值是從該第二電壓電平振蕩到該第一電壓電平。

2.根據權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，該N型金屬 氧化物半導體晶體管與一供應電壓電性連接，而該P型金屬氧化物半 導體晶體管與一接地端電性連接。

3.根據權利要求2所述的存儲器電路，其特征在于，該預設電路 從該P型與該N型金屬氧化物半導體晶體管之間的一輸出端輸出該預 設電壓，且該預設電壓的第二電壓電平相當于該供應電壓的1/2。

4.根據權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，該控制信號 通過一反向器傳送至該N型金屬氧化物半導體晶體管，以使該控制信 號同時開啟該N型與該P型金屬氧化物半導體晶體管。

5.根據權利要求1所述的存儲器電路，其特征在于，該第二三態 緩存器進一步透過一第二負載線連接至一穩態電源。

6.一種具高讀取速度及低切換噪聲的存儲器電路，其特征在于， 包含：

一輸出緩存器裝置，其具有：

一第一輸入，用以接收具有一第一電壓電平的一數據信號， 該數據信號經由一負載電路輸出；以及

一第二輸入，用以接收具有一第二電壓電平的一預設電壓； 以及

一預設電路，其為一金屬氧化物半導體晶體管的串疊電路，包含 一對金屬氧化物半導體晶體管，該對金屬氧化物半導體晶體管包含彼 此串聯連接的一N型金屬氧化物半導體晶體管及一P型金屬氧化物半 導體晶體管，該預設電路是在該輸出緩存器接收該數據信號之前從該 對金屬氧化物半導體晶體管之間的一輸出端提供該預設電壓至該第二 輸入；

其中，當該預設電壓從該預設電路輸出至該第二輸入時，該負載 電路上的電壓電平會被預設到與該第二輸入相等；該預設電路接收一 控制信號以同時開啟該對金屬氧化物半導體晶體管，且當該輸出緩存 器接收該數據信號時，該第二輸入的電壓值從該第二電壓電平振蕩到 該第一電壓電平。

7.根據權利要求6所述的存儲器電路，其特征在于，該N型金屬 氧化物半導體晶體管與一供應電壓電性連接，而該P型金屬氧化物半 導體晶體管與一接地端電性連接。

8.根據權利要求7所述的存儲器電路，其特征在于，該預設電路 從該P型與該N型金屬氧化物半導體晶體管之間的一輸出端輸出該預 設電壓，且該預設電壓的第二電壓電平相當于該供應電壓的1/2。

9.根據權利要求6所述的存儲器電路，其特征在于，該控制信號 通過一反向器傳送至該N型金屬氧化物半導體晶體管，以使該控制信 號同時開啟該N型與該P型金屬氧化物半導體晶體管。

10.根據權利要求6所述的存儲器電路，其特征在于，該輸出緩 存器裝置包含第一與第二三態緩存器，且該第二輸入設置于該第一與 該第二三態緩存器之間。