[發明專利]晶圓測試方法無效
| 申請號: | 200810086130.6 | 申請日: | 2008-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN101251571A | 公開(公告)日: | 2008-08-27 |
| 發明(設計)人: | 曹育誠 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01R1/02;G01R1/067 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 臺灣省高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 方法 | ||
技術領域
本發明是關于一種晶圓測試方法,特別是有關于一種包含微機電結構的晶圓或者是包含光學組件的晶圓的測試方法。
背景技術
半導體組件的制造過程,大致上可分為晶圓制程、晶圓測試、封裝及最后的測試,晶圓制程是在硅晶圓上制作電子電路組件,制作完成之后,晶圓上變成一格格的晶粒(die),接著晶圓測試步驟針對晶粒作電性測試,將不合格的晶粒淘汰,并將晶圓切割成若干個晶粒,而封裝是將合格的晶粒經過包裝與打線的步驟,使晶粒成為集成電路(Integrated?Circuit,IC),最后要再經過電性測試確保集成電路的質量。
圖1中顯示出現有的晶圓測試方法,特別是包含微機電結構或光學組件的晶圓測試方法的流程圖,包含有以下的數個步驟:
步驟S100,提供一晶圓,該晶圓上具有至少一焊墊;
步驟S102,以一探測模塊通過該至少一焊墊,對該晶圓作電性測試;
步驟S104,在該晶圓上覆蓋一罩體(cap),形成一罩體晶圓,并暴露出該至少一焊墊;
步驟S106,將該罩體晶圓切割成若干個晶粒;
步驟S108,將該若干個晶粒予以封裝。
在上述的測試方法中,步驟S102是用以測試晶圓上的焊墊電氣特性是否良好,而測試不合格焊墊的晶粒會被紀錄,予以淘汰,不再進行下一個制程,避免浪費成本。
在該步驟(S102)中用以進行電性測試的探測模塊通常包含有一針測機(prober)及一針測卡(probe?card),其中該針測卡包含至少一探針(probe),而該針測機是用以將晶圓上的焊墊與該至少一探針加以正確對位,以使該探針能與焊墊作電性接觸,對晶圓作電性測試。
而在步驟S104中則再將電性測試完成后的晶圓蓋上罩體,以對晶圓加以保護,避免微塵粒子落于晶圓的表面,而使晶圓因為過多的微塵粒子造成缺陷,導致晶圓的良率或晶粒的良率不佳,進而造成制造成本的增加并降低獲利。
上述的現有方法會遭遇到一項難題,由于現有的晶圓測試方法是在晶圓電性測試完成之后才覆蓋罩體,因此在測試時并沒有罩體保護晶圓,此時空氣中的微塵粒子極有可能落于晶圓上,造成晶圓或晶粒良率不佳,因此在進行電性測試時,必須加強控制測試環境、制程設備及處理過程等產生的微塵粒子,確保產品良率。然而產生微塵粒子的來源很多,如空氣、人員、制程氣體及生產設備等等,實際上很難完全控制,因此現有的測試方法在產品良率上有其不利的一面。
反之,若能在進行電性測試之前先行于晶圓上覆蓋上罩體,則能有效地改善上述難題,但是由于目前業界所使用的罩體的高度約為40密爾(mil),而現有的針測機及針測卡上的探針并無法支持超過40密爾高度的測試,所以目前作法只能先做完晶圓的電性測試后,才能覆蓋罩體,在這情形之下,保持測試晶圓環境的潔凈顯得非常重要,亦即對于無塵室(clean?room)的要求要比較高,但建置高等級的無塵室亦是需要昂貴的成本,因此為了兼顧晶圓與晶粒的生產良率與制造成本,需要發展一種測試方法解決上述問題。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種晶圓測試方法,用以解決晶圓在測試時,由于周遭環境的微塵粒子落于晶圓上造成晶粒質量不佳的問題。
本發明另一目的在于提供一種晶圓測試方法,用以降低晶圓測試所需的無塵室的等級,以減少晶圓的制造成本。
根據上述目的,本發明提出一種晶圓測試方法,該測試方法包含有下列步驟:
(1)提供一晶圓,該晶圓上具有至少一焊墊,且該晶圓至少有一微機電結構,或者至少包含一光學芯片;
(2)在該晶圓上覆蓋一罩體,形成一罩體晶圓,該罩體為玻璃(glass)材質,并暴露出該至少一焊墊;以及
(3)以一探測模塊通過該至少一焊墊,對該罩體晶圓進行電性測試,該探測模塊至少包含有一針測機及一針測卡,且該針測卡包含至少一探針,該針測機更包含一對位控制單元,用以控制該探針與該罩體晶圓正確對位。
根據本發明的一實施例,本發明的測試方法于上述步驟完成后,更包含有將該罩體晶圓加以切割成若干個晶粒,并將該若干個晶粒予以封裝的步驟。
與現有技術相比,本發明主要的優點包括:(a)提供一新的測試方法,可以有效地減低測試過程中因為環境內微塵粒子對晶圓所造成的影響;(b)所使用的探測模塊能支持覆蓋罩體后的晶圓的電性測試。
附圖說明
圖1顯示現有的晶圓測試方法,特別是包含微機電結構或光學組件的晶圓測試方法的流程圖。
圖2顯示出根據本發明的一實施例的晶圓測試方法的流程圖。
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