[發(fā)明專利]制造電子器件、基板和半導體器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810085743.8 | 申請日: | 2008-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN101271853A | 公開(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 町田洋弘 | 申請(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 陳源;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 電子器件 半導體器件 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制造電子器件、基板和半導體器件的方法,尤其是制造結(jié)構(gòu)為通過使用凸塊來把基板主體和通過絕緣層形成在基板主體上的導電圖形彼此連接的電子器件、基板和半導體器件的方法。
背景技術(shù)
例如,提供有各種電子設備,其中電極和導電圖形形成在基板(如半導體基板或者玻璃板)上。作為所述電子設備之一,提供稱為芯片尺寸封裝的半導體器件(例如,參見專利文獻1)。
芯片尺寸封裝具有這樣的結(jié)構(gòu),其中,在通過將晶片切割為半導體基板而獲得的半導體芯片的器件形成表面上通過鈍化層(保護層)形成重新布線(用于封裝的布線)。
此外,為制造專利文獻1中說明的芯片尺寸封裝,多個電極首先在半導體晶片的半導體芯片區(qū)上形成并且在每個電極上形成凸塊。
凸塊是使用焊接裝置通過焊線形成的。對于特殊的形成工序,在焊接裝置中,從毛細管延伸出的焊線首先焊接到電極焊盤上,并且隨后當焊線放出時毛細管抬起,這樣放出的焊線被切割以形成凸塊。
由于這個原因,通過焊線形成的凸塊與形成有凸塊的表面(電極焊盤)高度不同,并且難以在此狀態(tài)下形成連接到凸塊的重新布線。因此,下一個步驟是執(zhí)行把負載一次性地施加到每個凸塊上的處理(平整處理),來大體上平整凸塊的上部。
之后,其上形成有凸塊的半導體晶片被樹脂覆蓋,而且,打磨樹脂以從樹脂中露出凸塊的上表面。之后,焊料球形成在每個從樹脂中露出的凸塊上,然后,半導體晶片經(jīng)過對每個半導體芯片區(qū)進行分割處理(切割處理),這樣制造芯片尺寸封裝。
[專利文獻1]
JP-A-2002-313985
但是,在專利文獻1的方法中,必需執(zhí)行平整處理來把負載一次性地施加到每個凸塊上,因此要平整凸塊的上部以修正凸塊的高度變化。由于這個原因,存在著制造過程復雜的問題。
此外,在專利文獻1的方法中,形成絕緣層以覆蓋凸塊。因此,需要打磨絕緣層以露出凸塊的打磨步驟。此外,為了在打磨步驟后形成重新布線,當使用非電解電鍍方法時,需要執(zhí)行如使絕緣層的表面粗糙化的處理(所謂的去鉆污處理,desmear?processing)。由于這個原因,形成電鍍層的處理是復雜的。結(jié)果,增加了半導體器件的制造成本。
而且,通過濺射方法或CVD方法也可以形成導電層。但是由于這些方法需要昂貴的具有真空處理容器的薄膜形成設備,因此增加了制造成本。由于這個原因,它們不實用。
發(fā)明內(nèi)容
在考慮各個方面后,本文明的目的是提供能夠在低成本下制造并具有高可靠性的電子器件的制造方法、基板和半導體器件。
為了解決所述的問題,本發(fā)明的特點是采用了下面的方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面,提供的制造電子器件的方法包含:
第一步,在基板主體上提供的電極焊盤上形成具有突出物的凸塊;
第二步,在基板主體上形成絕緣層并使突出物的一部分從絕緣層的上表面露出;
第三步,在絕緣層的上表面和突出物的露出部分上形成導電層;
第四步,通過機械加工把導電層的與突出物相對的凸出部分移除,并且從導電層上露出突出物;以及
第五步,通過用導電層作為饋電層的電解電鍍來形成布線層,并且形成布線層的圖形以形成連接到凸塊的導電圖形。
此外,根據(jù)本發(fā)明的第二個方面,提供根據(jù)本發(fā)明的第一個方面的制造電子器件的方法,其中
基板主體是半導體基板。
此外,根據(jù)本發(fā)明的第三個方面,提供根據(jù)本發(fā)明的第一或者第二個方面的制造電子器件的方法,其中
在第四步執(zhí)行的機械加工是打磨處理。
此外,根據(jù)本發(fā)明的第四個方面,提供根據(jù)本發(fā)明的第三個方面的制造電子器件的方法,其中
在打磨處理中要使用的磨石的切削位置被設置得比導電層與突出物不相對的位置更高而比導電層與突出物相對的位置更低。
此外,根據(jù)本發(fā)明的第五個方面,提供根據(jù)本發(fā)明的第一個到第四個方面中的任意一個的制造電子器件的方法,其中
在第一步中通過焊線形成凸塊。
此外,根據(jù)本發(fā)明的第六個方面,提供一種基板,其包含:
基板主體,其具有電極焊盤;
凸塊,其具有突出物并形成在電極焊盤上;
絕緣層,其形成在基板主體上;
導電層,其形成在絕緣層上;以及
導電圖形,其形成在導電層上并且連接到凸塊,其中
突出物的頂端面與導電層的上表面等高。
此外,根據(jù)本發(fā)明的第七個方面,提供了一種半導體器件,其包含:
半導體芯片,其具有電極焊盤;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





