[發明專利]制造電子器件、基板和半導體器件的方法無效
| 申請號: | 200810085743.8 | 申請日: | 2008-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN101271853A | 公開(公告)日: | 2008-09-24 |
| 發明(設計)人: | 町田洋弘 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 陳源;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 電子器件 半導體器件 方法 | ||
1.一種制造電子器件的方法,其包含:
第一步,在基板主體上提供的電極焊盤上形成具有突出物的凸塊;
第二步,在基板主體上形成絕緣層并使突出物的一部分從絕緣層的上表面露出;
第三步,在絕緣層的上表面和突出物的露出部分上形成導電層;
第四步,通過機械加工把導電層的與突出物相對的凸出部分移除并且從導電層上露出突出物;以及
第五步,通過用導電層作為饋電層的電解電鍍來形成布線層,并且形成布線層的圖形以形成連接到凸塊的導電圖形。
2.如權利要求1所述的制造電子器件的方法,其中
所述基板主體是半導體基板。
3.如權利要求1所述的制造電子器件的方法,其中
在第四步執行的機械加工是打磨處理。
4.如權利要求3所述的制造電子器件的方法,其中
在打磨處理中要使用的磨石的切削位置被設置得比導電層與突出物不相對的位置更高而比導電層與突出物相對的位置更低。
5.如權利要求1所述的制造電子器件的方法,其中
在第一步中通過焊線形成凸塊。
6.一種基板,其包含:
基板主體,其具有電極焊盤;
凸塊,其具有突出物并形成在電極焊盤上;
絕緣層,其形成在基板主體上;
導電層,其形成在絕緣層上;以及
導電圖形,其形成在導電層上并且連接到凸塊,其中
突出物的頂端面與導電層的上表面等高。
7.一種半導體器件,其包含:
半導體芯片,其具有電極焊盤;
凸塊,其具有突出物并形成在電極焊盤上;
絕緣層,其形成在半導體芯片上;
導電層,其形成在絕緣層上;以及
導電圖形,其形成在導電層上并且連接到凸塊,其中
突出物的頂端面與導電層的上表面等高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





